Element S 是 Onto Innovation 結合穿透與反射的量測設備，有助於絕緣膜的監控。
專為快速成長的 Si／SiC／GaN 功率元件市場所使用的 100～200mm 小尺寸晶圓而設計。以 Element 的 FTIR（傅立葉轉換紅外光譜）技術為基礎，可準確量測最多 5 層磊晶層的厚度與自由載子濃度。
次世代 SiC 功率元件為了高耐壓需要較厚的磊晶層，此功能是其評估不可或缺的。以小光點量測，可測到接近晶圓邊緣處。
Element S的特點與規格
Onto Innovation・膜成分分析設備（XRF/FTIR）
針對 100～200mm 功率元件，可量測最多 5 層磊晶層厚度與載子濃度的 FTIR 量測設備。
產品概要
主要規格
| 方式 | FTIR（穿透＋反射） |
|---|---|
| 適用晶圓尺寸 | 100～200 mm |
| 量測項目 | 磊晶層厚度・自由載子濃度（最多 5 層） |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
FTIR（穿透＋反射）
最多 5 層的磊晶厚度・載子濃度
支援 100～200mm
主要用途
- SiC 功率元件的厚膜磊晶評估
製造商
Onto Innovation（總部：美國）