Element™ G2

ウェーハメーカーや先端ロジック・メモリ向けの高速なエピ層計測・膜組成管理装置。

Element G2とは

Element G2 は、Onto Innovation の高速なエピ層計測とウェーハ・膜の組成管理の装置です。ウェーハメーカー、先端ロジック、DRAM、3D NAND 向けです。

ウェーハメーカーが高速に不純物のマッピングとエピ厚の測定を行えるよう設計されています。透過と反射の技術を組み合わせ、高度な赤外モデリングで、絶縁膜の組成と膜厚の監視を独自の方法で行います。

感度の向上と最先端のアルゴリズムで、BPSG、FSG、SiN 中の水素などの絶縁膜の監視に広く使われています。機械学習で絶縁膜計測のモニターウェーハを不要にできます。2mm の円形スポットを持ちます。

方式	FTIR（透過＋反射）＋赤外モデリング
測定	不純物マッピング・エピ厚・BPSG／FSG／SiN 中の H などの組成
スポット	2mm の円形スポット

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	リガク（Rigaku）WaferX 310	ブルカー（Bruker）JVX7300LSI	マルバーン・パナリティカル（Malvern Panalytical）2830 ZT	KLAMicroSense® PKMRAM	KLAMicroSense® KerrMapper	Onto InnovationFAaST® CV/IV	Onto InnovationElement™ S	Onto InnovationElement™ G2
主要用途	BPSG・PSG・金属膜・電極膜の膜厚／組成管理	エピ積層・SiGe・Si 上 III-V の工程監視	膜組成・膜厚・ドーパント濃度の測定	垂直 MRAM の磁性膜評価	磁性多層膜の評価	IC 製造中の絶縁膜特性の監視	—	—
対応ウェハ径	150 / 200 / 300 mm	300 mm	最大 300 mm	最大 300 mm	—	—	100〜200 mm	—
方式	—	—	—	極磁気光学カー効果（MOKE）・非接触	縦磁気光学カー効果（MOKE）・非接触	非接触 CV 計測（ミクロ／マクロのコロナ・ケルビン＋デジタル SPV）	FTIR（透過＋反射）	FTIR（透過＋反射）＋赤外モデリング
特徴	最大 20 元素を同時分析・B／P など超軽元素に対応	校正不要の第一原理測定（組成・膜厚・歪み・密度・結晶性）	0.2 nm ～ 10 µm・ホウ素まで・最大 25 枚／時	—	—	試料作製・MOS キャパシタ不要	—	—
分析手法	WDXRF（波長分散型蛍光 X 線）	HRXRD・XRR・(GI)XRD	WDXRF（波長分散型蛍光 X 線）	—	—	—	—	—
測定	—	—	—	—	—	—	エピ層の厚さ・自由キャリア濃度（最大 5 層）	不純物マッピング・エピ厚・BPSG／FSG／SiN 中の H などの組成