VERSALINE® ICP

Plasma-Therm の VERSALINE プラットフォームに載る ICP エッチングシステム。化合物半導体から金属・圧電材料まで幅広い材料を扱い、研究開発から量産まで対応する。

VERSALINE ICPとは

VERSALINE ICP は、Plasma-Therm の VERSALINE プラットフォームに載る ICP（誘導結合型プラズマ）エッチングシステムです。VERSALINE は ICP エッチのほか、深掘りシリコンエッチ（DSE）、RIE、イオンビームエッチ、PECVD などを同じプラットフォームで展開しています。

ICP 源は 2MHz で、加熱してプロセスの安定性を高め、ファーストウェーハ効果を抑え、クリーニング間隔を延ばしています。扱える材料は GaAs・InP・GaN などの III-V 族、II-VI 族、シリコン系、絶縁膜、ポリマー、金属、金属酸化物・窒化物、圧電材料と幅広いのが特長です。

ウェーハは 50〜200mm に対応し、300mm へも拡張できます。シングルウェーハのロードロック（LL）構成とカセットクラスター（CX）構成があり、研究開発から量産まで使えます。制御は Cortex、終点検出は発光分光やレーザーを使う EndpointWorks です。

主な特長

•2MHz の加熱 ICP 源でプロセス安定性を向上
•化合物半導体・金属・圧電材料まで幅広い材料に対応
•ロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）の2構成
•Cortex 制御と EndpointWorks 終点検出、SECS/GEM 対応

主な仕様

対応ウェハ径	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）
方式	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源
チャンバー構成	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）
対象	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など
主要用途	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	コンダクタ・EUV パターニング	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—
対応ウェハ径	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）
チャンバー構成	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）