最後更新:2026年10月23日乾式蝕刻設備

Kiyo的特點與規格

科林研發(Lam Research)・乾式蝕刻設備

科林研發的導體蝕刻用產品系列。以對稱腔體與靜電吸盤技術,形成電晶體周圍的微細導體圖形。

目錄6 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 常見問題
  5. 製造商與在台據點
  6. 資料來源

產品概要

Kiyo 是科林研發的導體蝕刻用產品系列。導體蝕刻是形塑電晶體閘極與矽溝槽等元件中電氣上「主動」材料的製程,些微的尺寸差異就會左右性能。

藉由對稱的腔體設計、靜電吸盤技術與獨立的製程調整功能,取得高均勻性與再現性。獨家的 Hydra 技術可補正前段圖形化的差異以提高 CD 均勻性,Corvus 則調整電漿鞘層以提高晶圓外圍晶粒的良率。

藉由原位(in-situ)蝕刻、連續電漿與無晶圓自動清潔,即使是多層膜也能維持低缺陷・高生產力。也支援電漿 ALE(原子層蝕刻),能以量產等級的產能進行原子尺度的差異控制。系列包括 Versys Kiyo、Kiyo45、Kiyo C/E/F/G 系列。

主要規格

方式反應性離子蝕刻(RIE),支援電漿 ALE
對象導體(Si・多晶矽・金屬閘極等)
主要技術Hydra(CD 均勻性補正)・Corvus(晶圓邊緣的鞘層控制)
系列組成Versys Kiyo/Kiyo45/Kiyo C・E・F・G 系列
主要用途STI・源汲極・High-k/金屬閘極・FinFET・3D NAND

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以對稱腔體・靜電吸盤取得高均勻性與再現性
以 Hydra 補正 CD 均勻性,以 Corvus 改善晶圓邊緣良率
以電漿 ALE 進行原子尺度控制
可透過升級跨世代使用的低 CoO 設計

主要用途

  • STI(淺溝槽隔離)
  • 源極/汲極形成、High-k/金屬閘極
  • FinFET・三閘極、多重圖形化、3D NAND

Kiyo的常見問題

Kiyo 與 Flex 有何不同?
Kiyo 用於矽與金屬閘極等導體的蝕刻,Flex 用於氧化膜與 Low-k 等絕緣體(介電質)的蝕刻。融合兩者技術發展而成的平台是 Sense.i。

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹):1996 年成立的台灣技術訓練中心
  • Lam Research Manufacturing(桃園市中壢區):2016 年成立的製造子公司與全球翻新中心
  • 台南據點(台南):支援南部客戶的辦公室與訓練教室

所屬設備分類

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資料來源

  1. 科林研發(Lam Research)官方產品頁面:Lam Research Kiyo Product Family