RISE-300 是愛發科(ULVAC)的批次式原生氧化層去除設備。對應 300mm 晶圓,去除 LSI 深接觸窗底部等難以去除的原生氧化層。
可以良好的均勻性(批次內低於 ±5%)再現性良好地進行乾式蝕刻。以遠端電漿與低溫製程實現無損傷,將自對準接觸窗的電阻降至以往濕式製程的一半。
一次處理 50 片 300mm 晶圓,實現高產能與低持有成本。採重視保養性的結構。用於自對準接觸窗形成、電容形成、磊晶成長的前處理。
去除 LSI 深接觸窗底部等處原生氧化層的批次式乾式處理設備。一次處理 50 片 300mm 晶圓。
RISE-300 是愛發科(ULVAC)的批次式原生氧化層去除設備。對應 300mm 晶圓,去除 LSI 深接觸窗底部等難以去除的原生氧化層。
可以良好的均勻性(批次內低於 ±5%)再現性良好地進行乾式蝕刻。以遠端電漿與低溫製程實現無損傷,將自對準接觸窗的電阻降至以往濕式製程的一半。
一次處理 50 片 300mm 晶圓,實現高產能與低持有成本。採重視保養性的結構。用於自對準接觸窗形成、電容形成、磊晶成長的前處理。
| 方式 | 遠端電漿(微波)・低溫批次式乾式蝕刻 |
|---|---|
| 均勻性 | 低於 ±5%(批次) |
| 處理 | 一次處理 50 片 300mm |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
愛發科(ULVAC)(總部:日本)