RISE-300とは
RISE-300 は、アルバックのバッチ式の自然酸化膜除去装置です。300mm ウェーハに対応し、LSI の深いコンタクトの底部など、除去が難しい自然酸化膜を取り除きます。
良好な均一性（バッチで ±5% 未満）で再現よくドライエッチングできます。リモートプラズマと低温プロセスでダメージがなく、セルフアラインコンタクトの抵抗を従来のウェットプロセスの半分に下げます。
300mm ウェーハを 50 枚一括で処理し、高いスループットと低い所有コストを実現します。保守性を重視した構造です。セルフアラインコンタクト形成、キャパシタ形成、エピ成長の前処理に使われます。
主な特長
- •50 枚一括のバッチ処理
- •ダメージフリー（リモートプラズマ・低温）
- •コンタクト抵抗をウェット比 1/2 に
主な仕様
| 方式 | リモートプラズマ（マイクロ波）・低温のバッチ式ドライエッチング |
|---|---|
| 均一性 | ±5% 未満（バッチ） |
| 処理 | 300mm を 50 枚一括 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング） | 東京エレクトロン（TEL）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置） | Lam ResearchSelective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®） | Applied MaterialsProducer™ Viva™ Radical Treatment | ASMインターナショナルPrevium®（エピ前プリクリーン） | ULVAC（アルバック）RISE-300（自然酸化膜除去装置） |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | ガスケミカル（ドライ）エッチング、プラズマレス | 枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ） | 等方性の選択エッチング・表面処理 | イオンフリーのラジカル処理（特許） | エピ前のプリクリーン（Intrepid と統合） | リモートプラズマ（マイクロ波）・低温のバッチ式ドライエッチング |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング | 微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL） | S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（8件）
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（2枚同時処理） | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|
| シリーズ構成 | — | — | Argos／Prevos／Selis | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | GAA ナノシートのシリコン表面 | — | — |
| 効果 | — | — | — | 表面粗さ・不純物の低減でキャリア移動度を改善 | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | — | Previum V3・NEXT・VP（気相・非プラズマ） | — |
| 性能 | — | — | — | — | 自然酸化膜を 99.9% 除去（V3） | — |
| 均一性 | — | — | — | — | — | ±5% 未満（バッチ） |
| 処理 | — | — | — | — | — | 300mm を 50 枚一括 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •コンタクト形成の前処理
- •エピ成長の前処理
掲載カテゴリ
RISE-300は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
ULVAC（アルバック）
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
ドライ洗浄装置のほかの製品
ULVAC（アルバック）のほかの製品
ENTRON-EXX（PVD装置）CME-200E（PE-CVD）（CVD装置）ENTRON-EX W300（PVD装置）ei-5（真空蒸着装置）HELIOT 900 シリーズ（リークディテクタ）Luminous NA シリーズ（アッシング装置（レジスト灰化））CCMT-D シリーズ（真空計・圧力コントローラ）H83／H84（拡散炉）（拡散炉）IMX-3500（イオン注入装置）（中電流イオン注入装置）IH（高エネルギーイオン注入装置）（高エネルギーイオン注入装置）SOPHI（中電流イオン注入装置）（中電流イオン注入装置）SOPHI-400（高エネルギーイオン注入装置）（高エネルギーイオン注入装置）NLD-570（ドライエッチング装置）（MEMS）NLD-5700（ドライエッチング装置）（MEMS）NE-550EX（ドライエッチング装置）（ドライエッチング装置）uGmni-200E（ドライエッチング装置）（ドライエッチング装置）ei-5／EVD-600LP（蒸着装置）（真空蒸着装置）CC-200（PE-CVD 装置）（PECVD（プラズマCVD））CME（PE-CVD 装置）（PECVD（プラズマCVD））uGmni-200C（PE-CVD 装置）（PECVD（プラズマCVD））CS（スパッタリング装置）（スパッタリング装置）SEGul-200（GaN スパッタエピ装置）（化合物半導体）SRH（スパッタリング装置）（スパッタリング装置）SME（スパッタリング装置）（スパッタリング装置）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07