Previum 是 ASM International 磊晶成長前的預清潔模組。要成長無缺陷的磊晶膜，矽表面不能有原生氧化層或碳汙染。這些會擾亂晶格排列，在磊晶層中產生結晶缺陷。
Previum 去除這些雜質後，再將晶圓移至 Intrepid 成長磊晶。主力的 Previum V3 在量產中具實績，可去除 99.9% 的原生氧化層，面內均勻性也優異。Previum NEXT 可同時去除原生氧化層與碳雜質，也能進行矽蝕刻。
最先進的 Previum VP 採氣相非電漿方式，可在不損傷脆弱絕緣膜的情況下，選擇性去除高深寬比結構中的原生氧化層。由於不使用氧化層去除時通常使用的溫室氣體，也是環境負荷最小的方式。