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晶圓可取晶粒數（Die Per Wafer）計算工具

良率・品質・可靠度｜所有計算都在瀏覽器內完成，輸入值不會傳送到伺服器。

重點

每片晶圓可取得的晶粒數一定少於「晶圓面積 ÷ 晶粒面積」，因為圓形晶圓外圍放不下完整的矩形晶粒，邊緣排除區與切割道也要扣掉。300mm 晶圓放 10×10mm 晶粒約可取 600 顆左右，晶粒越大，外圍損失的比例越高。

輸入

晶圓尺寸晶粒寬度（mm）晶粒高度（mm）切割道寬度（mm）邊緣排除寬度（mm）

每片可取晶粒數（DPW）612顆

晶粒面積100.00mm²

有效半徑（扣除邊緣排除）147.0mm

晶圓面積利用率86.6%

只計算四個角都落在有效區域內的晶粒。格點原點會在縱橫方向各試半個間距的偏移（共 4 種），取可放最多晶粒的配置。實際光罩布局還有曝光區（shot）的限制，量產數字可能再少幾個百分點。

每片晶圓的可取晶粒數（Die Per Wafer, DPW）一定少於「晶圓面積 ÷ 晶粒面積」。原因是在圓形晶圓上排列矩形晶粒，外圍會有放不下完整晶粒的區域，加上邊緣排除區與切割道也要扣掉。晶粒越大，外圍損失的比例越高。

300mm 晶圓的面積是 200mm 的 2.25 倍，但可取晶粒數通常超過 2.25 倍，因為外圍損失的比例變小。DPW 再乘上良率，就是每片晶圓的良品數，也是估算晶片成本的起點。

DPW 的估算公式是什麼？

常見近似式為 π·(d/2)²/S − π·d/√(2S)（d 為晶圓直徑、S 為晶粒面積），第二項是外圍損失。本工具不用近似式，而是實際排列格點計算。

為什麼 300mm 的可取晶粒數超過 200mm 的 2.25 倍？

面積比是 2.25 倍，但大尺寸晶圓外圍損失所占比例較小，所以晶粒數的比值通常比面積比更大。