TC BONDER 4.5 GRIFFIN
ハンミ半導体の HBM TC ボンダーのラインアップに属する熱圧着ボンダー。HBM の DRAM チップ積層に使う。
TC BONDER 4.5 GRIFFINとは
TC BONDER 4.5 GRIFFIN は、韓国のハンミ半導体（Hanmi Semiconductor）が「HBM TC BONDER」として展開する熱圧着ボンダーです。同社の HBM 向け TC ボンダーには、ほかに TC BONDER 4.0 TIGER、TC BONDER 1.0 GRIFFIN、TC BONDER 1.0 TIGER があります。
TC ボンダーは、薄く削った DRAM チップを 1 層ずつ吸着して位置合わせし、ボンディングヘッドで加熱と加圧を同時にかけてマイクロバンプを接合する装置です。基板ごと炉に通すマスリフローと違い、接合部を局所的に加熱するため、多段に積み重ねる HBM でもチップの反りやずれを抑えやすい方式です。
ハンミ半導体は HBM 向けのほかに、2.5D パッケージ向けの 2.5D TC BONDER、フリップチップボンダー、HBM の 6 面外観検査装置も製品ラインアップに載せています。
主な特長
- •HBM 向け TC ボンダーのラインアップの一機種
- •加熱と加圧を同時にかける熱圧着方式
- •同社は 2.5D 用 TC ボンダー・HBM 6 面検査装置も展開
主な仕様
| 方式 | 熱圧着（TC）ボンディング |
|---|---|
| 製品区分 | HBM TC BONDER |
| 主要用途 | HBM の DRAM 積層 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
積層ボンディング：3機種の比較
| 項目 | ASMPTFIREBIRD TCB | Besi9800 TC next | ハンミ半導体（Hanmi Semiconductor）TC BONDER 4.5 GRIFFIN |
|---|---|---|---|
| 主要用途 | HBM・TSV 付きメモリの積層 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） | HBM の DRAM 積層 |
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） | 熱圧着（TCB） | — |
| 搭載精度 | ±2.0 µm | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） | — |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 実績 | 量産で 250 台以上の稼働実績 | — | — |
|---|---|---|---|
| 接合荷重 | — | 最大 500 N（1 kN オプション） | — |
| 処理能力 | — | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） | — |
| 対応ダイサイズ | — | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm | — |
| 方式 | — | — | 熱圧着（TC）ボンディング |
| 製品区分 | — | — | HBM TC BONDER |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •HBM の DRAM チップ積層
- •TSV・マイクロバンプを使う多段積層の接合
掲載カテゴリ
TC BONDER 4.5 GRIFFINは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
韓国・仁川に本社を置く半導体後工程装置メーカー。HBM 向けの TC ボンダー（熱圧着ボンダー）を主力とし、2.5D パッケージ向け TC ボンダー、フリップチップボンダー、ビジョンプレースメント、パッケージ切断用の micro SAW、EMI シールド関連装置、レーザー装置も手掛ける。