Synapse™ V／Synapse™ Z Plus

TSV 工程のウェーハ仮接合（Synapse V）と剥離・洗浄（Synapse Z Plus）を行う TEL のボンダー／デボンダー。

Synapse V／Synapse Z Plusとは

Synapse V と Synapse Z Plus は、東京エレクトロン（TEL）の 300mm ウェーハ向けのボンディング／デボンディング装置です。TSV を使った 3 次元実装の工程で、ウェーハの仮接合と剥離を効率よく行います。

Synapse V は、2 枚のウェーハを仮接合するための材料塗布、乾燥、接合の機能を持ち、さまざまな接着材料での一貫プロセスを 1 台で行います。独自のアライメント機構と接合モジュールで、業界最高水準の TTV（厚さのばらつき）と高い接合精度を提供します。最大 3 層の接着剤に対応します。

Synapse Z Plus は、ウェーハの剥離とデバイス・キャリアウェーハの洗浄機能を持ち、TSV 工程後の複雑な工程を 1 台で行います。厚さ 50µm 以下の非常に薄いウェーハも安定して搬送・処理できます。第 18 回半導体・オブ・ザ・イヤーを受賞しています。

主な特長

•仮接合と剥離を専用機で一貫処理
•接着剤厚の TTV 5% 未満
•50µm 以下の薄ウェーハ対応

主な仕様

対応ウェハ径	300 mm
仮接合精度	接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V）
特徴	50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer™ Avila™ 2 PECVD	Applied MaterialsEndura® Ventura® PVD	Applied MaterialsProducer® Avila™ PECVD	Applied MaterialsProducer® InVia® CVD	荏原製作所UFP600AS型	東京エレクトロン（TEL）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus	KLASPTS Osprey® PECVD	レーザーテックVIANCA シリーズ	レーザーテックBGM300
方式	PECVD（200℃ 未満の低温処理）	PVD（TSV 専用）	PECVD（能動冷却で最低 100℃）	CVD（TSV 絶縁ライナー）	電解めっき（高速パドル方式）	—	PECVD（最低 110℃）	独自光学系による深さ測定	独自干渉計＋IR 光学系
特徴	ウェーハ反り（ボウ）補正の強化・Si／ガラスの支持基板に対応	量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現	—	—	薄いシード層・多様な基板に対応、フレキシブルなプラットフォーム	50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus）	—	—	—
主要用途	TSV ビア露出・HBM・ハイブリッドボンディング用絶縁膜	—	—	—	バンプ・ピラー・再配線・貫通ビア・ファンアウト	—	TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合	ビアエッチング後の深さ・Cu リセス量・バンプ高さ	—
対象	—	アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ	—	—	—	—	—	高アスペクト比・小径ビア（次世代 TSV）	—
膜種	—	—	酸化膜・窒化膜	—	—	—	SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など	—	—
対応基板	—	—	—	—	パッケージ用角基板（パネル）	—	—	—	Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ）

1機種だけが掲載している項目（6件）

構成	—	—	Twin Chamber の Producer GT（同時に最大 6 枚）	—	—	—	—	—	—
膜厚	—	—	—	200nm〜1µm	—	—	—	—	—
対応アスペクト比	—	—	—	6:1〜16:1	—	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	300 mm	—	—	—
仮接合精度	—	—	—	—	—	接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V）	—	—	—
装置サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	1,450 × 2,650 × 1,885 mm