9800 TC next
Besi の熱圧着（TCB）ボンダーの最新機種。12インチウェーハと 300×300 mm パネルを扱い、窒素マイクロチャンバー内で接合する。
9800 TC nextとは
9800 TC next は、Besi の熱圧着ボンディング（TCB）装置の最新機種です。バンプピッチの微細化が進む先端パッケージの高密度インターコネクトに向けて設計されています。
搭載精度は X・Y で 0.5µm @3σ、最悪コーナーで 0.8µm @3σ、回転方向で 1mdeg @3σ です。接合荷重は最大 500N（1kN オプション）で、ボンドヘッドは 450°C まで加熱でき、100°C から 400°C まで毎秒 400°C 超で昇温します。
基板は最大 12インチウェーハ（FOUP 3ポート）と 300×300mm のクォーターパネルを扱い、ダイサイズは 0.3mm 角から 70mm 角までです。接合は窒素マイクロチャンバー（O₂ 100ppm 未満）で行い、処理能力は接合時間 1 秒の条件で最大 2,500UPH です。
主な特長
- •X・Y 0.5µm @3σ の搭載精度（最悪コーナー 0.8µm）
- •接合荷重 最大 500N（1kN オプション）
- •ボンドヘッド 450°C、昇温 400°C/秒超
- •窒素マイクロチャンバーによる不活性雰囲気での接合
- •ウェーハ（12インチ）とパネル（300×300mm）に対応
主な仕様
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） |
|---|---|
| 搭載精度 | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） |
| 接合荷重 | 最大 500 N（1 kN オプション） |
| 処理能力 | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） |
| 対応ダイサイズ | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm |
| 主要用途 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
積層ボンディング：2機種の比較
| 項目 | ASMPTFIREBIRD TCB | Besi9800 TC next |
|---|---|---|
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） | 熱圧着（TCB） |
| 搭載精度 | ±2.0 µm | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） |
| 主要用途 | HBM・TSV 付きメモリの積層 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） |
1機種だけが掲載している項目（4件）
| 実績 | 量産で 250 台以上の稼働実績 | — |
|---|---|---|
| 接合荷重 | — | 最大 500 N（1 kN オプション） |
| 処理能力 | — | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） |
| 対応ダイサイズ | — | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •HBM などのダイ積層
- •チップレットを含む高密度インターコネクトの先端パッケージ
掲載カテゴリ
9800 TC nextは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
TCB（熱圧着ボンディング）とハイブリッドボンディングの違いは？
TCB はマイクロバンプを加熱と加圧で接合する方式です。ハイブリッドボンディングはバンプを使わず、銅電極と絶縁膜を直接接合するため、より狭いピッチに対応できます。
メーカー
Besi
オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-05