TCボンダー（熱圧着ボンダー）メーカー5社
TCボンダー（熱圧着ボンダー）は、チップを1個ずつ吸着して基板やウェーハ、下のチップに位置合わせし、ボンディングヘッドで加熱と加圧を同時にかけてマイクロバンプを接合する装置です。基板ごと炉に通すマスリフローと違い、接合する箇所だけを局所的に加熱するため、薄いチップの反りやバンプ間のずれを抑えられます。HBMのDRAM積層や2.5Dパッケージのように、狭ピッチのバンプを多段で正確につなぐ工程で使われています。
主要特徴
よくある質問
TCボンダーとフリップチップボンダーの違いは何ですか？▾
HBMの製造でTCボンダーが使われるのはなぜですか？▾
TCボンダーとハイブリッドボンディングはどう使い分けられますか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
TCボンダー：4機種の比較
| 項目 | ハンミ半導体（Hanmi Semiconductor）TC BONDER 4.5 GRIFFIN | Kulicke & SoffaAPAMA（熱圧着ボンダー） | ASMPTFIREBIRD TCB | Besi9800 TC next |
|---|---|---|---|---|
| 主要用途 | HBM の DRAM 積層 | 2.5D／3D・TSV のダイ積層 | HBM・TSV 付きメモリの積層 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） |
| 方式 | 熱圧着（TC）ボンディング | 熱圧着ボンディング（C2S／C2W） | — | — |
| 接合方式 | — | — | 熱圧着（TCB） | 熱圧着（TCB） |
| 搭載精度 | — | — | ±2.0 µm | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） |
1機種だけが掲載している項目（7件）
| 製品区分 | HBM TC BONDER | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| 特徴 | — | ダイレクトドライブ Z 軸ボンドヘッド・統合検査／計測 | — | — |
| 対応プロセス | — | NCF・NCP・TC-CUF | — | — |
| 実績 | — | — | 量産で 250 台以上の稼働実績 | — |
| 接合荷重 | — | — | — | 最大 500 N（1 kN オプション） |
| 処理能力 | — | — | — | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） |
| 対応ダイサイズ | — | — | — | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
TC BONDER 4.5 GRIFFIN
ハンミ半導体の HBM TC ボンダーのラインアップに属する熱圧着ボンダー。HBM の DRAM チップ積層に使う。
| 方式 | 熱圧着（TC）ボンディング |
| 製品区分 | HBM TC BONDER |
| 主要用途 | HBM の DRAM 積層 |
APAMA（熱圧着ボンダー）
2.5D／3D・TSV のダイ積層向けに K&S が開発した熱圧着（TCB）ボンダー。2014年に C2S、2015年に C2W 機を投入した。
| 方式 | 熱圧着ボンディング（C2S／C2W） |
| 特徴 | ダイレクトドライブ Z 軸ボンドヘッド・統合検査／計測 |
| 対応プロセス | NCF・NCP・TC-CUF |
| 主要用途 | 2.5D／3D・TSV のダイ積層 |
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） |
| 搭載精度 | ±2.0 µm |
| 実績 | 量産で 250 台以上の稼働実績 |
| 主要用途 | HBM・TSV 付きメモリの積層 |
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） |
| 搭載精度 | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） |
| 接合荷重 | 最大 500 N（1 kN オプション） |
| 処理能力 | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） |
| 対応ダイサイズ | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm |
| 主要用途 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
韓国・仁川に本社を置く半導体後工程装置メーカー。HBM 向けの TC ボンダー（熱圧着ボンダー）を主力とし、2.5D パッケージ向け TC ボンダー、フリップチップボンダー、ビジョンプレースメント、パッケージ切断用の micro SAW、EMI シールド関連装置、レーザー装置も手掛ける。
- •HBM 向け TC ボンダーの製品群（TC BONDER 4.5 GRIFFIN など）
- •2.5D パッケージ向けの TC ボンダーも展開
SMT（表面実装技術）と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的なソリューションを提供。
- •SMTおよび半導体パッケージング装置における総合力
- •先端パッケージング技術（チップレット、ウェーハレベルパッケージング）
オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。
- •ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
- •ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
半導体パッケージング装置の世界的リーダー。ワイヤーボンディング、ダイボンディング、先端パッケージング装置で圧倒的なシェアを持つ。
- •ワイヤーボンディング装置における世界トップシェア
- •フリップチップ、ハイブリッドボンディングなど先端実装技術
東レグループのエンジニアリング会社。半導体分野ではフリップチップボンダなどの実装装置、外観検査装置、塗布装置を供給し、先端パッケージ向けの高精度接合に対応する。
- •フリップチップボンダの高精度アライメント
- •実装装置と検査装置を横断して供給
同じ分野の装置カテゴリ
ボールマウンターは、BGAやCSPのパッケージ基板、またはウェーハの電極パッドに、はんだボールを一括で搭載する装置です。
メーカー 1 社ダイボンダーダイボンダー（Die Bonder）は、選別された良品チップを基板・リードフレーム・パッケージ基材へ高精度に搭載・固定する実装装置です。
メーカー 5 社フリップチップボンダーフリップチップボンダー（Flip Chip Bonder）は、チップを裏返して基板に直接実装し、はんだバンプを介して電気・機械接続を行う先端実装装置です。
メーカー 4 社封止装置（モールディング）封止装置（モールディング装置）は、チップ（ダイ）をエポキシ樹脂（EMC：エポキシモールドコンパウンド）で覆い、外部環境（湿気・機械的衝撃・熱）から保護する後工程の基幹装置です。
メーカー 5 社プラズマクリーナー（後工程）後工程のプラズマクリーナーは、ダイボンディング・ワイヤボンディング・モールド・アンダーフィルの前に、リードフレームやパッケージ基板、チップ表面をプラズマで処理する装置です。
メーカー 3 社リフロー炉リフロー炉は、はんだペーストやはんだボール、バンプを溶かして接合するための加熱炉です。
メーカー 2 社仮接着・剥離装置仮接着・剥離装置は、デバイスウェーハを接着剤でガラスなどの支持基板に一時的に貼り付ける仮接着（テンポラリーボンディング）装置と、裏面の薄化・加工が終わったあとに支持基板から剥がす剥離（デボンディング）装置の組み合わせです。
メーカー 2 社アンダーフィル装置アンダーフィル装置は、フリップチップ接続されたチップと基板の間の空間に液状エポキシ樹脂（アンダーフィル材）を充填・硬化させる後工程装置です。
メーカー 3 社ウェハレベルパッケージングウェハレベルパッケージング（WLP：Wafer Level Packaging）は、ダイシング前のウェハ状態で再配線層形成、バンプ形成、保護膜形成などのパッケージング工程を一括実施する先端技術です。
メーカー 9 社ウェハマウンタウェハマウンタ（ダイシングテープマウンタ）は、ダイシング工程前にウェハをダイシングフレーム（リングフレーム）に固定されたテープに貼り付ける装置です。
メーカー 4 社ワイヤボンダーワイヤボンダー（Wire Bonder）は、金線・銅線・アルミ線などの極細ワイヤを用いて、チップのボンディングパッドと基板・リードフレームを電気的に接続する実装装置です。
メーカー 4 社