Vantage Vulcan RTP
ランプ加熱方式のRTPシステム。前世代機Vantage Radiance Plus RTPのスパイクアニール性能に加え、サブ秒アニールや超低温アニールにも対応する。
Vantage Vulcan RTPとは
Vantage Vulcan RTP は、Applied Materials のランプ加熱式 RTP（急速熱処理）システムです。32/28nm 世代以降のスパイクアニールでは、ダイ内の放射エネルギー吸収の差から温度ムラが生じるパターンローディング効果（PLE）が課題になります。Vulcan は加熱ランプをウェーハの下側に置く構成でこれを抑え、高い加熱均一性を得ています。
プロセス温度範囲は 150〜1,300°C と広く、前世代機 Vantage Radiance Plus RTP のスパイクアニール性能に加えて、サブ秒アニール、超低温アニール、各種メタルアニールにも使えます。スパイクアニール後の冷却を速める「fast spike」により、長い降温時間がデバイス性能に与える影響を抑えます。
透過光を使った多点温度測定により、ランプ式 RTP として初めて室温近くでの閉ループ制御を実現しました。低温処理のウェーハ間再現性が高く、ニッケルなどをシリコンへ拡散させるシリサイド形成で、より薄く良好な界面をつくるのに役立ちます。
主な特長
- •ウェーハ下側のランプで加熱し、パターンローディング効果を低減
- •150〜1,300°C の広いプロセス温度範囲
- •スパイク・サブ秒・超低温・メタルの各アニールに対応
- •透過式の多点温度測定による室温近くからの閉ループ制御
- •fast spike による急速降温
主な仕様
| 方式 | ランプ加熱式 RTP（枚葉） |
|---|---|
| 対応プロセス | スパイク／サブ秒／超低温／各種メタルアニール |
| 関連機種 | Vantage Radiance Plus RTP（前世代機） |
| チャンバー技術 | ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御 |
| 主要用途 | 不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVantage Vulcan RTP | Mattson TechnologyHelios® XP（RTPシステム） | Kokusai Electric（国際電気）TANDUO |
|---|---|---|---|
| 方式 | ランプ加熱式 RTP（枚葉） | 両面加熱（ダブルサイドヒーティング）RTP | 枚葉式 |
| 主要用途 | 不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理 | 活性化アニール・シリサイド化アニール | 枚葉での熱処理・膜質改善 |
| 対応プロセス | スパイク／サブ秒／超低温／各種メタルアニール | — | アニール・薄膜形成 |
| 関連機種 | Vantage Radiance Plus RTP（前世代機） | — | MARORA（プラズマ窒化・プラズマ酸化） |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| チャンバー技術 | ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御 | — | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | — | 表裏の温度バランス制御による高速昇温 | — |
| 効果 | — | パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理 | — |
| 対応範囲 | — | 基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス | — |
| 構成 | — | — | モジュール選択式 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ソース・ドレインの不純物活性化（スパイクアニール）
- •High-k メタルゲート形成
- •シリサイド形成のための低温アニール
掲載カテゴリ
Vantage Vulcan RTPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。