東京エレクトロン(TEL)/RTP(急速熱処理)装置

Triase+™ SPAi

SPA(スロットプレーンアンテナ)の高密度・低電子温度プラズマで、低温・低ダメージの処理を行う TEL の枚葉プラズマ処理装置。

Triase+ SPAiとは

Triase+ SPAi は、東京エレクトロン(TEL)の枚葉プラズマ処理装置です。実績と信頼性の高い Triase+ SPA シリーズの次世代版として、生産性の向上と環境負荷の低減に注力して開発されました。

SPA シリーズは、TEL が長年培ってきた SPA(Slot Plane Antenna)のプラズマ生成技術による、高密度で電子温度の低いプラズマを使い、低温でダメージの少ない処理を行うのが特長です。SPAi はこの特長を受け継ぎつつスループットを向上させ、消費電力の低減による CO₂ 排出量の削減と設置面積の削減も実現しました。

バイアス機能を備え、良好な膜質と高いカバレッジを両立します。ゲート窒化、ゲート修復酸化、STI ライナー酸化、High-k 窒化などの重要な前工程に対応します。

主な特長

  • •SPA による高密度・低電子温度プラズマ
  • •低温・低ダメージ処理
  • •バイアス機能
  • •CO₂ 排出・設置面積を削減

主な仕様

方式SPA プラズマ処理(バイアス機能付き)
特徴高密度・低電子温度プラズマ
主要用途ゲート窒化・ゲート修復酸化・STI ライナー酸化・High-k 窒化

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsVantage Vulcan RTPApplied MaterialsCentura® DPN HDApplied MaterialsVantage® RadOx™ RTPApplied MaterialsVantage® Radiance® Plus RTPMattson TechnologyHelios® XP(RTPシステム)Kokusai Electric(国際電気)TANDUOKokusai Electric(国際電気)MARORA®東京エレクトロン(TEL)Triase+™ SPAi
方式ランプ加熱式 RTP(枚葉)デカップルドプラズマ窒化(DPN)+窒化後アニール(PNA)ラジカル酸化(RTP・Radiance チャンバー)大気圧 RTP(Radiance チャンバー)両面加熱(ダブルサイドヒーティング)RTP枚葉式枚葉プラズマ処理(MMT 方式・約 1eV)SPA プラズマ処理(バイアス機能付き)
主要用途不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理3X/2X nm 世代の酸窒化ゲートメモリゲート酸化膜・STI ライナー・フラッシュのトンネル酸化膜・ONO注入後のスパイクアニール・シリサイドアニール活性化アニール・シリサイド化アニール枚葉での熱処理・膜質改善プラズマ窒化・プラズマ酸化・選択酸化ゲート窒化・ゲート修復酸化・STI ライナー酸化・High-k 窒化
特徴——熱予算の厳密な管理・工程中モニタリング—表裏の温度バランス制御による高速昇温——高密度・低電子温度プラズマ
対応プロセススパイク/サブ秒/超低温/各種メタルアニール————アニール・薄膜形成——
関連機種Vantage Radiance Plus RTP(前世代機)————MARORA(プラズマ窒化・プラズマ酸化)——
構成—Centura メインフレームに DPN 室と PNA 室を搭載———モジュール選択式——
1機種だけが掲載している項目(5件)
チャンバー技術ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御———————
温度制御———7 点測定・100Hz 閉ループ・240rpm 回転————
効果————パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理———
対応範囲————基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス———
対応ウェハ径——————300 mm—

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •ゲート窒化・修復酸化
  • •STI ライナー酸化
  • •High-k 窒化

掲載カテゴリ

Triase+ SPAiは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

東京エレクトロン(TEL)

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

東京エレクトロン(TEL) の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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