博世製程（Bosch Process）是為了把矽挖得又深又直，每隔幾秒交替重複蝕刻（切削步驟）與沉積保護膜（保護步驟）的乾式蝕刻方法。因德國汽車零件廠商羅伯特・博世公司取得專利而得名。它是深反應離子蝕刻（DRIE）的代表方法，是 MEMS 與 TSV（矽穿孔）加工不可或缺的技術。
在蝕刻步驟，以六氟化硫（SF6）電漿切削矽。這種氣體會往所有方向切削矽（等向性），直接使用會讓孔往側面擴大。因此在接下來的保護步驟，使用八氟環丁烷（C4F8）電漿，在孔的底部與側壁全面附著一層類似鐵氟龍的薄氟樹脂膜。再切換回蝕刻時，垂直飛來的離子會先破壞底部的保護膜，側壁的膜則保留下來，因此只有底部被切削而向下推進。
重複這個循環，就能以高速垂直挖出深度達寬度數十倍的孔或溝槽。不過，每次蝕刻都會稍微往側面切削，側壁會留下稱為扇貝紋（scallop）的波浪狀凹凸。在 TSV 中，這些凹凸會影響之後沉積的阻障層與銅的填充，因此會採取縮短切換時間以減小凹凸等對策。
