最後更新:2026年10月23日CVD 設備

Producer XP Precision CVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・CVD 設備

應用材料以 Twin Chamber 設計發展而來的 CVD 系統。具備高薄膜沉積均勻性,因應 3D 結構中轉向垂直方向的 CD 要求。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Producer XP Precision CVD 是應用材料以 Twin Chamber 設計發展而來的 CVD 系統。其結構經重新設計,以最佳化腔體環境與製程參數之間的交互作用,實現從平面結構轉向 3D 結構所需的薄膜沉積均勻性。

在平面元件中,CD 控制是水平面上的問題,考驗的是微影精度;但在 3D 結構中,關鍵尺寸轉向垂直方向,要求也轉移到薄膜沉積。在交替堆疊不同材料的 3D NAND 中,各層的不均勻會逐層累積並傳遞,因此薄膜沉積的均勻性最為重要。

Precision 系統也使 Saphira APF 這類具備高選擇比、低應力、高透明度的新型硬遮罩薄膜成為可能。這類薄膜能承受層數持續增加的 3D NAND 長時間蝕刻,以及先進 DRAM 的高深寬比加工。藉由 Producer 主機與高速傳送協定,可獲得高產能密度。

主要規格

適用晶圓尺寸300 mm
方式CVD(Producer 平台・Twin Chamber)
對象薄膜3D NAND 堆疊膜・Saphira APF 等硬遮罩
主要用途3D NAND 交替堆疊・DRAM 高深寬比加工用薄膜

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以 Twin Chamber 設計發展而來的高均勻 CVD
3D NAND 交替堆疊所需的層間均勻性
支援 Saphira APF 等新型硬遮罩薄膜
以 Producer 主機實現高產能密度

主要用途

  • 3D NAND 交替堆疊膜
  • 3D NAND・DRAM 高深寬比加工用硬遮罩

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Producer XP Precision CVD