流動式 CVD（FCVD，Flowable CVD）是先形成剛沉積時具有像液體一樣會流動性質的膜，讓它流進細深溝槽的底部，再以熱處理轉變成堅硬氧化膜的成膜方法。與順著溝槽形狀附著的一般 CVD 不同，它從下方逐步填滿縫隙，因此即使是高深寬比的溝槽，也能不留下空洞（void 或 seam）地填滿。2010年前後開始用於20nm 世代以後的 STI 等。
一般的做法，是讓含矽與氮的原料，與在遠處電漿中產生的活性氣體，在低溫的基板上反應。於是形成含矽、氮、氫、尚未固化的柔軟膜，藉毛細力等流進溝槽中。之後在含臭氧或水蒸氣的環境中熱處理（固化，cure），氮與氫脫離並被氧取代，轉變為氧化膜（SiO₂）。
在 FinFET 的鰭片之間、3D NAND 的深溝槽、DRAM 的細圖形等，溝槽越細越深，FCVD 的角色就越重要。課題是熱處理時膜會收縮，以及溝槽深處與入口的膜質不易一致。收縮會對周圍結構施加應力，造成細圖形倒塌或彎曲，因此熱處理條件的最佳化很重要。可以說是以 CVD 實現與塗佈後燒結的 SOG（旋塗玻璃）類似想法的方法。
