HDP-CVD（High Density Plasma CVD，高密度電漿 CVD）是在以 ICP（感應耦合電漿）等產生的高密度電漿中，沉積氧化膜等的同時，以引入基板的離子一點一點削去膜（濺射蝕刻），從下往上填滿細溝槽或間隙的成膜方法。從1990年代後半開始，用於以絕緣膜無空隙地填滿隔離電晶體的溝槽（STI）與導線之間。
以一般 CVD 填細溝槽時，膜會在溝槽入口的轉角附著較厚而先封住，裡面留下空洞（void 或 seam）。HDP-CVD 也對基板側施加電壓，把氬等離子垂直引入，從斜向削去附著在溝槽入口轉角的膜。成膜與蝕刻同時進行，調整兩者的比例（D/S 比），就能從溝槽底部依序堆積膜。
原料使用矽烷、氧與氬等，能在低溫下形成緻密的氧化膜。不過，當溝槽深度相對於寬度變大（高深寬比）時，只靠邊削邊填已經跟不上，削去時也會出現損傷下層膜或轉角的問題。因此在20nm 世代以後的細深溝槽，改用像液體一樣流進去的流動式 CVD（FCVD）、塗佈型膜與 ALD。
