小丘（Hillock）是在金屬導線或金屬膜表面形成的小丘狀突起，英文意為「小山丘」。在半導體中以鋁（Al）導線為主，銅（Cu）導線或電極金屬膜也會發生，高度可達數十 nm 至數 μm。它會刺穿形成於導線上方的介電層，或造成高低差使曝光失焦，是金屬連線製程的代表性缺陷之一。
主要原因是金屬與矽熱膨脹差異造成的應力。鋁的熱膨脹係數約為矽的 9 倍，沉積後以熱處理加熱晶圓時，受矽基板拘束的金屬膜中會產生很大的壓縮應力。為了釋放這個應力，金屬原子會經由晶界等擴散，在表面局部隆起形成小丘。反之，冷卻時產生的拉伸應力使原子流失時，導線中會形成孔洞（void），即應力遷移（stress migration），小丘與孔洞是一體兩面的關係。在電流搬運原子的電遷移（electromigration）中，原子堆積的一側（陽極側）會產生小丘，流失的一側則產生孔洞。
小丘若觸及上下或相鄰導線就會造成短路，也會損害導線上方層間介電層的平坦性與可靠度。對策包括：在鋁中添加少量銅或矽成為合金以抑制原子移動、以 Ti 或 TiN 等膜上下包夾導線加以壓制、降低熱處理溫度與時間（熱預算，thermal budget）等方法。檢測時以光學式缺陷檢測或 SEM 觀察管理突起的密度與高度。