InFO(Integrated Fan-Out:整合扇出型)是台積電開發並量產的扇出型晶圓級封裝(FOWLP)技術。其結構是將晶片直接埋入晶圓上(重構晶圓),再以重布線層(RDL)連接到封裝外部端子,實現無載板、薄型與高密度連線。2016年因被蘋果iPhone 7的A10處理器採用而確立量產實績,此後持續作為蘋果SoC的主力封裝技術。
InFO的製程是將晶片重新配置於晶圓上,以封膠樹脂填充形成重構晶圓,再於表面形成RDL引出端子。由於不需要基板(封裝載板),封裝高度比傳統Flip-chip BGA約薄20~30%。台積電推出InFO-WLP(一般版)、InFO-PoP(智慧型手機用SoC+記憶體堆疊版)、InFO-SoIC(3D IC整合版)等多種變體。
InFO與CoWoS並列為台積電先進封裝的兩大支柱。CoWoS使用矽中介層,面向高效能AI/HPC;InFO則不使用中介層,實現低成本與薄型化,最適合智慧型手機、穿戴式裝置與IoT用SoC。InFO-SoIC也能進行多顆晶片的3D直接鍵合,並延伸到記憶體與邏輯的單晶3D整合。兩者的差異詳見CoWoS與InFO的差異(台積電先進封裝比較)的比較文章。