WLCSP（Wafer Level Chip Scale Package）是在晶圓切割成單顆之前，直接以晶圓狀態進行重布線層（RDL）與焊料凸塊形成等封裝步驟，最後再切割完成的封裝技術。由於封裝外形與晶片幾乎相同（晶片尺寸），可實現現有封裝中最小、最薄的形式，大量用於智慧型手機的電源管理 IC、感測器與 RF 元件。
傳統封裝是先切出晶粒再放到基板上封膠，而 WLCSP 以晶圓整批處理同時封裝大量晶片，在製造成本與產出量方面較有利。基本形式是端子收在晶片範圍內的扇入型（fan-in），當 I/O 數增加、重布線空間不足時，便發展為扇出型（FOWLP）。兩者屬於一脈相承的技術系譜。
製程流程為：在晶圓上形成保護層（passivation）與聚醯亞胺絕緣層，以濺鍍與電鍍形成 RDL，再植上錫球並進行回焊。由於不使用封裝載板且晶片背面外露，構裝後對機械應力與溫度循環的可靠度確保（基板端的 CTE 匹配或底部填膠）成為設計上的課題。
WLCSP 作為支撐行動裝置小型化・薄型化的基礎技術，需求持續擴大，台積電、日月光、Amkor 等以晶圓級封裝設備進行量產。對於晶片尺寸較大的元件，正逐步改用扇出型（FOWLP／InFO），依用途區分使用的情形也日益普遍。