SOI 晶圓是什麼

SOI 晶圓是在矽主動層與支撐基板之間夾入埋入式氧化層（BOX 層）的基板。由於元件被絕緣膜與底層隔開，接面電容減少，可實現高速・低功耗，對閂鎖效應與輻射造成的軟錯誤也更具耐受性。將主動層做得極薄的 FD-SOI 適合低電壓操作，已被 RF 開關與 IoT 用 SoC 採用。製造方法廣泛使用利用氫離子佈植與剝離的 Smart Cut 法，主動層的膜厚均勻性決定特性變異。

重點整理

在主動層與支撐基板之間夾入埋入式氧化層的基板結構
藉由降低接面電容實現高速・低功耗
具優異的閂鎖效應耐受性與軟錯誤耐受性
以 Smart Cut 法為主流，主動層的膜厚均勻性決定特性

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