Q-Time（Queue Time，等候時間）是指某道製程結束到下一道製程開始之間的等待時間。在半導體製造現場，特別用來指「必須在此時間內投入下一道製程」的等待時間上限（Q-Time 限制、Q-Time 約束）。超過上限的晶圓會被送去重新清洗等重工（rework），無法重工時則報廢。
等待時間之所以需要上限，是因為剛處理完的晶圓表面會隨時間變化。以 DHF 清洗去除原生氧化膜的矽表面在大氣中會再度氧化，CMP 後的銅導線表面會持續氧化或腐蝕。Low-k 膜會吸濕，化學放大型光阻在曝光到曝光後烘烤（PEB）之間會受環境中胺類等影響而使尺寸改變。這些都直接影響下一道製程的界面品質與尺寸，因此必須在變化落在容許範圍內的時間內開始下一道製程。
設定 Q-Time 的典型區間包括：從閘極氧化或磊晶成長的前清洗到投入爐管或成膜設備、從接觸窗開孔與前處理到金屬成膜、從銅 CMP 到覆蓋層成膜等。上限值依表面變化速度與下一道製程的敏感度，針對各製程以實驗決定，有些區間約數小時，也有些管控得更短。
Q-Time 也是生產管理上的一大限制。因為前一道製程結束時，若後段設備沒有空檔，等待時間就會拉長而導致違規。因此 MES（製造執行系統）會以前一道製程結束的時刻為起點管理計時器，優先派送期限將至的批次。此外也會採取除非預期能確保後段設備，否則不讓前一道製程開工的控制。在 Q-Time 跨越多道製程連續串接的區間，這項判斷會變得困難，形成設備稼動率與違規風險之間的取捨。
也會採取延緩等待期間變化本身的對策。將晶圓存放在經 N₂ 吹淨的 FOUP 或儲料器中，或讓 EFEM 內部維持 N₂ 氣氛，減少與氧氣或水分的接觸，即可延長可容許的等待時間。更根本的做法是採用前處理與成膜在不破真空下連續進行的設備構成，使晶圓在製程間不暴露於大氣，該區間的 Q-Time 管理本身便不再需要。