化合物半導体ウェハメーカー4社

化合物半導体ウェハは、GaAs・InP・GaN・サファイアなど複数元素からなる半導体基板の総称です。シリコンにない直接遷移型のバンド構造や高い電子移動度を持つため、レーザーダイオード・光通信用デバイス・高周波アンプ・LEDといった、シリコンでは原理的に作れない用途を担います。結晶成長の難度が高く、基板径はシリコンより小さいまま推移してきました。用途ごとに材料が異なり、材料の選択がそのままデバイスの動作波長や周波数特性を決めるという構造になっています。

メーカー 4 社関連カテゴリ 7 件

主要特徴

GaAs・InP・GaN・サファイアなど複数元素からなる半導体基板

直接遷移型バンド構造や高電子移動度でシリコンにない用途を担う

レーザー・光通信・高周波アンプ・LEDが主な適用先

材料選択がデバイスの動作波長や周波数特性を決める

スペック比較

複数の製品が掲載している項目を並べています。

項目	住友電気工業（SiC・化合物半導体）GaN 単結晶基板	住友化学GaAs／InP 基板・化合物エピウェハ	レゾナック（旧昭和電工）化合物半導体エピタキシャルウェハ
材料	GaN（自立基板）	GaAs・InP・AlGaAs／InGaAs エピ層	GaAs・GaN 系エピタキシャル層
管理指標	転位密度・オフ角・反り	エピ層組成・膜厚均一性・キャリア濃度	膜厚・組成均一性・発光波長ばらつき
主要用途	GaN パワーデバイス・RF・レーザ	RF フロントエンド・光通信・センサ	LED・レーザ・RF デバイス
口径	2 ～ 4 インチ	2 ～ 6 インチ	—
成長方式	—	MOCVD／MBE エピタキシー	MOCVD

1製品だけが掲載している項目（2件）

結晶育成	HVPE 法など	—	—
構造	—	—	多層エピ（量子井戸・バッファ層を含む）

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真

住友電気工業（SiC・化合物半導体）

GaN 単結晶基板

GaN を GaN 基板上に成長させるホモエピが取れるため、Si や SiC 基板上より転位密度を下げられる。高周波・高耐圧用途の本命。

材料	GaN（自立基板）
口径	2 ～ 4 インチ
結晶育成	HVPE 法など
管理指標	転位密度・オフ角・反り
主要用途	GaN パワーデバイス・RF・レーザ

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住友化学

GaAs／InP 基板・化合物エピウェハ

GaAs・InP の単結晶基板とその上のエピウェハ。InP は光通信用の受発光素子、GaAs は RF フロントエンドの主材料になる。

材料	GaAs・InP・AlGaAs／InGaAs エピ層
口径	2 ～ 6 インチ
成長方式	MOCVD／MBE エピタキシー
管理指標	エピ層組成・膜厚均一性・キャリア濃度
主要用途	RF フロントエンド・光通信・センサ

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レゾナック（旧昭和電工）

化合物半導体エピタキシャルウェハ

GaAs・GaN 系のエピウェハ。発光デバイスや高周波デバイス向けに、多層のエピ構造を設計どおりに積むことが求められる。

材料	GaAs・GaN 系エピタキシャル層
成長方式	MOCVD
構造	多層エピ（量子井戸・バッファ層を含む）
管理指標	膜厚・組成均一性・発光波長ばらつき
主要用途	LED・レーザ・RF デバイス

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。