多晶矽是什麼

多晶矽是用於拉製單晶矽晶棒之原料的高純度矽。製法是讓金屬矽與氯化氫反應生成三氯矽烷，經蒸餾精製後，以西門子法使其析出於加熱的矽棒表面。半導體級要求 11N（99.999999999%）等級的純度，雜質管理遠比太陽能電池級嚴格。原料階段的金屬汙染會直接導致晶圓的晶體缺陷與載子生命期下降。

重點整理

作為單晶晶棒（CZ 法・FZ 法）起始原料的高純度矽

精製三氯矽烷後以西門子法析出製造

半導體級為 11N 等級，遠比太陽能電池級嚴格

原料的金屬汙染會直接影響晶圓的晶體缺陷與載子生命期

半導體級與太陽能電池級的多晶矽有何不同？

純度不同。半導體級一般為 11N 等級，太陽能電池級一般為 6N～9N 等級，半導體用對施體・受體雜質與金屬的管理標準嚴格了好幾個數量級。

什麼是西門子法？

將精製後的三氯矽烷與氫氣通入反應爐，使高純度矽析出於通電加熱至 1,000℃以上之矽棒表面的製法。是半導體級的主流製法。

化合物半導體晶圓是 GaAs、InP、GaN、藍寶石等由多種元素構成之半導體基板的總稱。

磊晶晶圓是在單晶基板上，成長出延續其晶向之薄單晶層的晶圓。

再生晶圓是將用於設備調整或監控用途的晶圓去除表面膜層、重新研磨，使其可以再次使用的晶圓。

SiC 晶圓是能隙約為矽 3 倍的碳化矽單晶基板。

矽晶圓是大多數半導體元件製作於其上的單晶矽圓片。

SOI 晶圓是在矽主動層與支撐基板之間夾入埋入式氧化層（BOX 層）的基板。

特殊基板是以矽或化合物半導體以外的材料製作之晶圓的總稱，包括藍寶石、鉭酸鋰（LT）、鈮酸鋰（LN）、石英、玻璃等。