Sym3™ Z Magnum™ Etch
GAA トランジスタのソース・ドレイン用キャビティを掘る Applied Materials のエッチングシステム。第2世代パルス電圧技術（PVT2）で垂直な側壁と矩形の底を作る。
Sym3 Z Magnum Etchとは
Sym3 Z Magnum Etch は、Applied Materials のエッチングシステムで、GAA（ゲート・オール・アラウンド）トランジスタのソース／ドレイン用キャビティの形成を主な用途としています。キャビティは垂直な側壁、均一な寸法、矩形の底を持つ必要があり、わずかなずれがエピタキシャル成長を乱して駆動電流を下げるため、GAA 製造で最も敏感な工程のひとつです。
ウェーハの近くでプラズマを生成する構造と、第2世代のパルス電圧技術（PVT2）、独立した RF バイアス制御を組み合わせ、イオンエネルギーを精密に制御します。これにより高い垂直性、底形状の定義、Si／SiGe の選択比を得て、パターン間の深さばらつきを最小に抑えます。
Sym3 Z ファミリーはファウンドリ、ロジック、メモリの大手顧客でキャビティエッチングに広く採用されています。Sym3 Z Magnum は、より狭いピッチや深いキャビティが求められる GAA、CFET、先端メモリにも拡張できる設計です。
主な特長
- •第2世代パルス電圧技術（PVT2）と独立 RF バイアス制御
- •高い垂直性と矩形底のキャビティ形状
- •Si／SiGe の高選択比、低い深さばらつき
- •GAA から CFET・先端メモリまで拡張可能な構造
主な仕様
| 方式 | プラズマエッチング（PVT2・独立 RF バイアス制御） |
|---|---|
| 主な技術 | Si/SiGe 高選択比・低い深さばらつき |
| 主要用途 | GAA・CFET のソース／ドレイン キャビティエッチング |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Tactras™ | Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング） | Applied MaterialsSym3™ Z Magnum™ Etch |
|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE） | 反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応 | プラズマエッチング（PVT2・独立 RF バイアス制御） |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング | STI・ソースドレイン・FinFET | GAA・CFET のソース／ドレイン キャビティエッチング |
| 主な技術 | — | Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御） | Si/SiGe 高選択比・低い深さばらつき |
1機種だけが掲載している項目（2件）
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） | — | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •GAA トランジスタのソース／ドレイン キャビティエッチング
- •CFET・先端メモリの3次元構造
掲載カテゴリ
Sym3 Z Magnum Etchは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。