矽蝕刻機是什麼

矽蝕刻機是以電漿或反應性氣體選擇性去除單晶矽・磊晶矽的設備，用於STI（淺溝槽隔離）・深溝槽電容・FinFET鰭片形成・SOI加工等多種工序。高深寬比溝槽的垂直側壁形成，以及對氮化膜・氧化膜的高選擇比是重要的性能指標，也負責DRAM的單元溝槽（10:1以上）等極深的加工。

重點整理

涵蓋STI・溝槽電容・FinFET鰭片形成等廣泛用途

以氯系・氟系氣體與矽的選擇性反應進行精密加工

在高深寬比溝槽中仍維持垂直側壁的輪廓控制很重要

DRAM單元溝槽可對應深寬比10:1以上的超深加工

以SiGe選擇性蝕刻（奈米片形成）支援GAA-FET

矽蝕刻機與多晶矽蝕刻機有什麼不同？

矽蝕刻機以單晶・磊晶Si為對象，專注於深溝槽與基板加工。多晶矽蝕刻機則專注於閘極電極等薄膜多晶Si的圖形化，兩者所要求的選擇比與側壁形狀不同。

奈米片電晶體與矽蝕刻機有什麼關係？

在GAA（環繞式閘極）型奈米片FET中，會在交替堆疊Si與SiGe後，只選擇性去除SiGe，使矽奈米片露出。這種選擇性蝕刻應用了矽蝕刻機的技術。

灰化設備是以氧電漿產生的氧自由基，將光阻分解為二氧化碳與水，並以氣體形式去除的設備。

乾式蝕刻設備（乾式蝕刻機）是使用電漿或反應性氣體，在氣相中精密去除矽・氧化膜・金屬薄膜等的半導體前段製程設備一覽。

各材料專用蝕刻機（Material Etcher）是指在乾式蝕刻中，針對要去除的薄膜材料（氧化膜・氮化膜・多晶矽・金屬・化合物半導體等），分別最佳化電漿化學物種・氣體配方・電極結構…

金屬蝕刻機是以電漿精密去除鋁・鎢・鈦・鈷・釕等金屬導線・阻障金屬層的專用乾式蝕刻設備。

氧化膜蝕刻機是以電漿精密去除矽氧化膜（SiO₂）・高介電常數氧化膜（HfO₂等）・BPSG・TEOS氧化膜等絕緣膜的專用設備。

多晶矽蝕刻機是以氯系・溴系電漿，精密加工廣泛用作閘極電極・硬遮罩・電極材料之多晶矽膜的設備。

濕式蝕刻設備是使用氫氟酸（HF）・硝酸・氫氧化鉀（KOH）等藥液，在液相中溶解・去除晶圓表面氧化膜・氮化膜・金屬等的設備。