VIISta HCP 是應用材料(前 Varian)的高電流離子佈植機。運用 Varian 率先開發的單晶圓式高電流技術,以高良率與業界最高生產力為目標。
改良雙磁鐵帶狀射束結構,提高射束線穿透率、晶圓上的射束利用效率與射束電流。此結構可使晶圓遠離離子源與射束線產生的微粒。
以閉迴路的 Varian Positioning System 量測並調整射束方向,以高再現性控制 0 度佈植與精確傾角的佈植。
承襲 Varian 單晶圓式高電流技術的高電流離子佈植機。採用雙磁鐵帶狀射束。
VIISta HCP 是應用材料(前 Varian)的高電流離子佈植機。運用 Varian 率先開發的單晶圓式高電流技術,以高良率與業界最高生產力為目標。
改良雙磁鐵帶狀射束結構,提高射束線穿透率、晶圓上的射束利用效率與射束電流。此結構可使晶圓遠離離子源與射束線產生的微粒。
以閉迴路的 Varian Positioning System 量測並調整射束方向,以高再現性控制 0 度佈植與精確傾角的佈植。
| 方式 | 單晶圓式・高電流離子佈植 |
|---|---|
| 射束 | 雙磁鐵帶狀射束 |
| 角度控制 | Varian Positioning System(閉迴路) |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。