最後更新:2026年10月23日高電流離子佈植機

VIISta HCP的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・高電流離子佈植機

承襲 Varian 單晶圓式高電流技術的高電流離子佈植機。採用雙磁鐵帶狀射束。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

VIISta HCP 是應用材料(前 Varian)的高電流離子佈植機。運用 Varian 率先開發的單晶圓式高電流技術,以高良率與業界最高生產力為目標。

改良雙磁鐵帶狀射束結構,提高射束線穿透率、晶圓上的射束利用效率與射束電流。此結構可使晶圓遠離離子源與射束線產生的微粒。

以閉迴路的 Varian Positioning System 量測並調整射束方向,以高再現性控制 0 度佈植與精確傾角的佈植。

主要規格

方式單晶圓式・高電流離子佈植
射束雙磁鐵帶狀射束
角度控制Varian Positioning System(閉迴路)

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

單晶圓式高電流佈植
雙磁鐵帶狀射束
閉迴路佈植角度控制

主要用途

  • 源極/汲極等高劑量佈植

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials VIISta HCP