Element™ S

100〜200mm のパワーデバイス向けに、エピ層の厚さとキャリア濃度を最大 5 層まで測る FTIR 計測装置。

Element Sとは

Element S は、Onto Innovation の透過と反射を組み合わせた計測装置で、絶縁膜の監視に役立ちます。

急成長する Si／SiC／GaN のパワーデバイス市場で使われる 100〜200mm の小口径ウェーハ向けに設計されています。Element の FTIR（フーリエ変換赤外分光）技術をもとに、最大 5 層までのエピ層の厚さと自由キャリア濃度を正確に測ります。

次世代の SiC パワーデバイスは高い耐圧のために厚いエピ層を必要とし、その評価にこの機能が欠かせません。小さなスポットで、ウェーハの端近くまで測れます。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	リガク（Rigaku）WaferX 310	ブルカー（Bruker）JVX7300LSI	マルバーン・パナリティカル（Malvern Panalytical）2830 ZT	KLAMicroSense® PKMRAM	KLAMicroSense® KerrMapper	Onto InnovationFAaST® CV/IV	Onto InnovationElement™ S	Onto InnovationElement™ G2
主要用途	BPSG・PSG・金属膜・電極膜の膜厚／組成管理	エピ積層・SiGe・Si 上 III-V の工程監視	膜組成・膜厚・ドーパント濃度の測定	垂直 MRAM の磁性膜評価	磁性多層膜の評価	IC 製造中の絶縁膜特性の監視	—	—
対応ウェハ径	150 / 200 / 300 mm	300 mm	最大 300 mm	最大 300 mm	—	—	100〜200 mm	—
方式	—	—	—	極磁気光学カー効果（MOKE）・非接触	縦磁気光学カー効果（MOKE）・非接触	非接触 CV 計測（ミクロ／マクロのコロナ・ケルビン＋デジタル SPV）	FTIR（透過＋反射）	FTIR（透過＋反射）＋赤外モデリング
特徴	最大 20 元素を同時分析・B／P など超軽元素に対応	校正不要の第一原理測定（組成・膜厚・歪み・密度・結晶性）	0.2 nm ～ 10 µm・ホウ素まで・最大 25 枚／時	—	—	試料作製・MOS キャパシタ不要	—	—
分析手法	WDXRF（波長分散型蛍光 X 線）	HRXRD・XRR・(GI)XRD	WDXRF（波長分散型蛍光 X 線）	—	—	—	—	—
測定	—	—	—	—	—	—	エピ層の厚さ・自由キャリア濃度（最大 5 層）	不純物マッピング・エピ厚・BPSG／FSG／SiN 中の H などの組成