FAaST® CV/IV

コロナ・ケルビン法とデジタル SPV で、絶縁膜と界面の電気特性を非接触で測る計測プラットフォーム。

FAaST CV/IVとは

FAaST CV/IV は、Onto Innovation の非接触の電気計測プラットフォームです。ミクロとマクロのコロナ・ケルビン技術にデジタルの表面光起電力（SPV）を組み合わせることもでき、幅広い絶縁材料の膜と界面を高い分解能で測ります。研究開発にも量産にも使えます。

非接触の CV 計測の主な用途は、IC 製造中の絶縁膜の特性の監視です。従来の電気計測と違って試料の作製が要らず、MOS キャパシタの構造を作る必要もありません。これにより計測コストを下げ、研究開発と製造で速くデータを返せます。

コロナ・ケルビン法は、空気中のコロナ放電で電荷を絶縁膜の表面に置き、表面電位の変化から絶縁膜や界面の電気特性を求めます。

方式	非接触 CV 計測（ミクロ／マクロのコロナ・ケルビン＋デジタル SPV）
特徴	試料作製・MOS キャパシタ不要
主要用途	IC 製造中の絶縁膜特性の監視

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	リガク（Rigaku）WaferX 310	ブルカー（Bruker）JVX7300LSI	マルバーン・パナリティカル（Malvern Panalytical）2830 ZT	KLAMicroSense® PKMRAM	KLAMicroSense® KerrMapper	Onto InnovationFAaST® CV/IV	Onto InnovationElement™ S	Onto InnovationElement™ G2
主要用途	BPSG・PSG・金属膜・電極膜の膜厚／組成管理	エピ積層・SiGe・Si 上 III-V の工程監視	膜組成・膜厚・ドーパント濃度の測定	垂直 MRAM の磁性膜評価	磁性多層膜の評価	IC 製造中の絶縁膜特性の監視	—	—
対応ウェハ径	150 / 200 / 300 mm	300 mm	最大 300 mm	最大 300 mm	—	—	100〜200 mm	—
方式	—	—	—	極磁気光学カー効果（MOKE）・非接触	縦磁気光学カー効果（MOKE）・非接触	非接触 CV 計測（ミクロ／マクロのコロナ・ケルビン＋デジタル SPV）	FTIR（透過＋反射）	FTIR（透過＋反射）＋赤外モデリング
特徴	最大 20 元素を同時分析・B／P など超軽元素に対応	校正不要の第一原理測定（組成・膜厚・歪み・密度・結晶性）	0.2 nm ～ 10 µm・ホウ素まで・最大 25 枚／時	—	—	試料作製・MOS キャパシタ不要	—	—
分析手法	WDXRF（波長分散型蛍光 X 線）	HRXRD・XRR・(GI)XRD	WDXRF（波長分散型蛍光 X 線）	—	—	—	—	—
測定	—	—	—	—	—	—	エピ層の厚さ・自由キャリア濃度（最大 5 層）	不純物マッピング・エピ厚・BPSG／FSG／SiN 中の H などの組成