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製程能力指數 Cp・Cpk 計算工具
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重點
Cp 是規格寬度除以變異（6σ），Cpk 是平均值到較近一側規格的距離除以 3σ，同時反映變異與中心偏移。晶圓廠對膜厚、CD、片電阻等主要參數一般要求 Cpk 1.33 以上（±4σ，雙邊約 63 ppm），關鍵製程以 1.67 以上為目標。
輸入
Cpk（考慮偏移的製程能力）1.131
判定參考需注意（1.00〜1.33）
Cp（只看變異的製程能力）1.190
Cpu / Cpl1.131 / 1.250
Cpm（考慮偏離目標值）1.172
推估超規率（上側＋下側）434ppm
（上側 / 下側）346 / 88.4ppm
超規率是假設量測值服從常態分布的推估值。膜厚這類偏態分布，或下限貼近 0 的缺陷數，實際不良率會與推估值不同。
Cpk 與不良率對照表
| Cpk | 到規格的距離 | 超規率（中心對準時） | 評價 |
|---|---|---|---|
| 0.67 | ±2.0σ | 44,400 ppm | 不足（未滿 1.00） |
| 1.00 | ±3.0σ | 2,700 ppm | 需注意（1.00〜1.33） |
| 1.33 | ±4.0σ | 66.1 ppm | 良好（1.33 以上） |
| 1.50 | ±4.5σ | 6.8 ppm | 良好（1.33 以上） |
| 1.67 | ±5.0σ | 544.30 ppb | 充足（1.67 以上） |
| 2.00 | ±6.0σ | 1.97 ppb | 充足（1.67 以上） |
Cp 與 Cpk 的差別
Cp 只看規格寬度相對於變異（6σ）有多大，平均值偏離規格中心也不會改變 Cp。Cpk 是平均值到較近一側規格的距離除以 3σ，同時反映變異與中心偏移。Cp 與 Cpk 差距大的製程，先把中心對準通常比降低變異更有效。
晶圓廠對膜厚、CD、片電阻等主要參數，一般要求 Cpk 1.33 以上（±4σ），關鍵製程則以 1.67 以上（±5σ）為目標。統計製程管制（SPC）會先用管制圖確認製程穩定，再計算 Cpk；製程不穩定時算出的 Cpk，無法用來預測下一批的品質。
常見問題
Cpk 1.33 代表不良率多少？
平均值位於規格中心時，Cpk 1.33 相當於規格距離平均值 ±4σ，雙邊合計超規率約 63 ppm。Cpk 1.67（±5σ）約 0.57 ppm。
Cp 高但 Cpk 低是什麼意思？
代表變異夠小，但平均值偏離規格中心。這種情況先把製程中心對準，通常比降低變異更有效。
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最後更新：2026年10月22日