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晶圓重量・面積・厚度計算工具
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重點
300mm 矽晶圓厚 775µm、重約 128g，200mm 厚 725µm、重約 53g。尺寸越大，規格厚度越厚，以抑制自重下垂。300mm 的面積是 200mm 的 2.25 倍，同樣的處理時間可產出兩倍以上的晶片，這是大尺寸化的經濟理由。
輸入
每片晶圓重量127.59g
面積706.9cm²
有效面積（邊緣排除 3 mm）678.9 cm²（96.0%）
體積54.782cm³
周長942.5mm
25 片合計重量（僅晶圓）3.190kg
未扣除缺口、平邊與倒角造成的體積減少（300mm 晶圓小於 0.1%）。FOUP 本身約 4kg，裝滿 25 片 300mm 晶圓時約 8kg。
矽晶圓標準尺寸（SEMI 公稱值）
| 尺寸 | 直徑 | 厚度 | 面積 | 重量 | 相對 100mm 面積 | 主要用途 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2 吋 | 50.8 mm | 279 µm | 20 cm² | 1.3 g | 0.06 倍 | 化合物半導體・研究用 |
| 3 吋 | 76.2 mm | 381 µm | 46 cm² | 4.0 g | 0.15 倍 | 化合物半導體・研究用 |
| 100mm（4 吋） | 100 mm | 525 µm | 79 cm² | 9.6 g | 0.25 倍 | 化合物半導體・MEMS |
| 125mm（5 吋） | 125 mm | 625 µm | 123 cm² | 17.9 g | 0.39 倍 | 舊世代產線 |
| 150mm（6 吋） | 150 mm | 675 µm | 177 cm² | 27.8 g | 0.56 倍 | 功率・類比・SiC |
| 200mm（8 吋） | 200 mm | 725 µm | 314 cm² | 53.0 g | 1.00 倍 | 成熟製程・功率・MEMS |
| 300mm（12 吋） | 300 mm | 775 µm | 707 cm² | 127.6 g | 2.25 倍 | 先進邏輯・記憶體 |
| 450mm（18 吋） | 450 mm | 925 µm | 1590 cm² | 342.6 g | 5.06 倍 | 僅有規格（量產擱置） |
為什麼尺寸越大，晶圓越厚
晶圓規格的厚度隨直徑增加而變厚。如果大尺寸晶圓維持薄度，會因自重下垂，容易在搬送中破片，或在熱處理時產生滑移（晶格錯動）。300mm 晶圓的 775µm 是在下垂量與材料成本之間取得平衡的結果。晶片最後會以背面研磨減薄到 50〜100µm 左右，所以大部分厚度是為了製造過程中的機械強度。
300mm 晶圓的面積是 200mm 的 2.25 倍，同樣的設備處理時間可以多產出兩倍以上的晶片，這是大尺寸化的經濟理由。450mm 的轉換因設備開發費用由誰負擔無法達成共識，2010 年代中期實質凍結。功率半導體用的 SiC 晶圓則正從 150mm 轉向 200mm。
常見問題
12 吋晶圓有多重？
直徑 300mm、厚 775µm 的矽晶圓約 128g。一盒 25 片約 3.2kg，加上 FOUP 本體約 7〜8kg。
為什麼沒有 450mm 晶圓廠？
設備開發費用龐大，晶圓廠與設備商對費用分攤無法達成共識，2010 年代中期計畫實質凍結。
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最後更新：2026年10月22日