FPA-1200NZ2C
回路パターンを刻んだマスク（型）をウェーハ上のレジストにハンコのように押し付けて転写するキヤノンのナノインプリント半導体製造装置。2023年発売。
FPA-1200NZ2Cとは
FPA-1200NZ2C は、キヤノンのナノインプリント半導体製造装置です。投影露光のように光で回路を焼き付けるのではなく、回路パターンを刻んだマスク（型）をウェーハ上のレジストにハンコのように押し当てて転写するナノインプリントリソグラフィ（NIL）を使います。
最小線幅は 14nm で、5nm ノード相当のロジック製造に対応します。光学系を介さないため、複雑な2次元・3次元の回路パターンも1回のインプリントで形成できます。光源の波長に依存しないので、投影露光装置に比べて消費電力と CO₂ 排出を大きく減らせ、CoO（所有コスト）も下げられます。
新たに開発した環境制御技術でパーティクルの発生と混入を抑えています。仕様はインプリント範囲 26×33mm、6インチマスク、300mm ウェーハ、重ね合わせ精度 4nm 以下です。ロジック・メモリに加え、XR 向けメタレンズなどの微細構造の製造にも用途が広がっています。
主な特長
- •ナノインプリント方式で最小線幅 14nm（5nm ノード相当）
- •複雑な2D・3D パターンを1回のインプリントで形成
- •光学系を持たず低消費電力・低 CoO
- •重ね合わせ精度 4nm 以下、300mm ウェーハ対応
主な仕様
| 方式 | ナノインプリント（ステップ＆リピート） |
|---|---|
| 最小線幅 | 14 nm（5nm ノード相当） |
| 特徴 | 光学系を介さず低消費電力・低コスト |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの回路形成 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | キヤノン（Canon）FPA-1200NZ2C | EV GroupHERCULES® NIL 300 mm |
|---|---|---|
| 方式 | ナノインプリント（ステップ＆リピート） | UV ナノインプリント（SmartNIL・ウェーハ一括） |
| 特徴 | 光学系を介さず低消費電力・低コスト | 前処理を統合したモジュール構成・200/300 mm ブリッジ |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの回路形成 | AR/VR 光学素子・3D センサー・ナノフォトニクス |
1機種だけが掲載している項目（1件）
| 最小線幅 | 14 nm（5nm ノード相当） | — |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •先端ロジック・メモリの回路形成
- •XR 向けメタレンズなどの微細光学素子
掲載カテゴリ
FPA-1200NZ2Cは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
ナノインプリントは EUV 露光とどう違いますか？
メーカー
i線・KrFステッパーを長年供給する露光装置メーカー。近年はナノインプリント・リソグラフィ（NIL）を量産化し、EUVに代わる新たな微細化ルートとして注目される。