XBC300 Gen2 D2W

ダイ・トゥ・ウェーハとウェーハ・トゥ・ウェーハの両方のハイブリッドボンディングに対応する SUSS のプラットフォーム。

XBC300 Gen2 D2Wとは

XBC300 Gen2 D2W は、SUSS MicroTec のダイ・トゥ・ウェーハ（D2W）ハイブリッドボンディング装置です。200mm と 300mm の基板に対して、ダイを1つずつ接合するシーケンシャルボンディングを行います。

アライメント精度は ±100nm で、先端の 3D IC や HBM の用途を可能にします。処理能力は最大 1,000 ダイ／時で、ダイサイズは 1×1mm から 22×22mm、30µm までの極薄チップも扱えます。ダイ間の間隔は 40µm 未満で高密度に配置できます。

表面活性化、ダイの位置決め、洗浄、計測を統合した全自動プラットフォームで、全面の IR 重ね合わせ測定とボイド検査のその場計測を備えます。同等の装置より最大 40% 小さい設置面積です。SET Corporation の NEO HB フリップチップボンディングプラットフォームと SUSS のモジュールを組み合わせて共同開発され、研究開発ラインや少量生産に向いています。

主な特長

•D2W ハイブリッドボンディング、アライメント ±100nm
•最大 1,000 ダイ／時、ダイ 1×1〜22×22mm
•30µm の極薄チップ、ダイ間隔 40µm 未満
•設置面積最大 40% 減、IR 重ね合わせ・ボイド検査

主な仕様

接合方式	D2W／W2W ハイブリッドボンディング
構成	ボンダー・前処理を統合したプラットフォーム
主要用途	チップレット・3D 集積

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

ダイ・トゥ・ウェーハ（D2W）：3機種の比較

項目	Suss MicroTecXBC300 Gen2 D2W	Applied MaterialsKinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System	BesiDatacon 8800 CHAMEO ultra plus AC
接合方式	D2W／W2W ハイブリッドボンディング	D2W ハイブリッドボンディング	D2W ハイブリッドボンディング
構成	ボンダー・前処理を統合したプラットフォーム	ウェット洗浄・プラズマ活性化・インシチュ計測を1台に統合	単体ボンダー（高精度ビジョン・クリーン機構）
主要用途	チップレット・3D 集積	3D IC・HBM・光電融合（CPO）・センサー統合	ピッチ 1 µm までの高密度接続・3D 集積

1機種だけが掲載している項目（3件）

対応基板	—	シリコン・III-V 族・ガラス	—
共同開発	—	BE Semiconductor Industries（Besi）	—
処理能力	—	—	最大 2,000 CPH（ドライサイクル）、アライメント 100 nm @3σ

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。