Ulucus Lとは
Ulucus L は、東京エレクトロン（TEL）の 300mm 3 次元高密度実装デバイス向けのレーザエッジトリミング装置です。塗布現像装置で量産実績の多いプラットフォームに、独自の高度なレーザ制御ユニットを組み合わせて開発しました。
前工程並みのスーパークリーン技術と、高い信頼性・生産性を提供します。レーザ制御で高品質な割断面と、高精度・高速なエッジトリミングを実現します。
加工中に純水を使わないドライプロセスのため、純水の使用量、発塵、廃水量を減らせます。ウェーハの接合後にエッジトリミングを行うため、トリミング前後の工程数の削減にも貢献します。
主な特長
- •レーザによるエッジトリミング
- •純水を使わないドライプロセス
- •接合後に加工して工程数を削減
主な仕様
| 方式 | レーザエッジトリミング（ドライプロセス） |
|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| ベース | 塗布現像装置のプラットフォーム |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Ulucus™ L | 東京エレクトロン（TEL）Ulucus™ LX | KLAirArcher® 007 |
|---|---|---|---|
| 方式 | レーザエッジトリミング（ドライプロセス） | レーザ剥離＋ウェーハ分離＋洗浄 | 短波長赤外（SWIR）照明の重ね合わせ計測 |
| ベース | 塗布現像装置のプラットフォーム | LITHIUS Pro Z プラットフォーム | — |
1機種だけが掲載している項目（4件）
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | — |
|---|---|---|---|
| 効果 | — | 純水使用量を従来比 90% 以上削減 | — |
| 対象 | — | — | 研削前の接合ウェーハ（反りの大きいもの含む） |
| 特徴 | — | — | 工場自動化・APC 対応 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ウェーハ永久接合のエッジトリミング
- •3 次元実装デバイス
掲載カテゴリ
Ulucus Lは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
ハイブリッドボンディング装置のほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）CELLESTA™ Pro SPM（レジスト剥離装置（ウェット））CELLESTA™ SCD（ウェハ乾燥装置）NS300Z（ウェハスクラバ）EVAROS™（拡散炉）TELFORMULA™（拡散炉）ALPHA-8SE™ i（拡散炉）Triase+™ EX-II™ TiN（CVD装置）Triase+™ Ti/TiN（CVD装置）Triase+™ SPAi（RTP（急速熱処理）装置）Episode™ 1（CVD装置）Episode™ 2 DMR（CVD装置）EXIM™（PVD装置）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V（コータ／デベロッパ）CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™（コータ／デベロッパ）UNITY™ Me+（SiCパワー半導体製造装置）CELLESTA™-i MD（シングルウェハ洗浄装置）CELLESTA™ MS2（ウェハスクラバ）Prexa™（ウェハプローバー）Prexa™ MS（ウェハプローバー）Prexa™ SDP（最終テスト装置）Cellcia™（ウェハプローバー）WDF™ 12DP+（ウェハプローバー）Precio octo™（ウェハプローバー）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus（TSV形成装置）Ulucus™ LX（ハイブリッドボンディング装置）Ulucus™ G（バックグラインダー）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07