Besi/チップレット実装装置

Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC

Besi のダイ・トゥ・ウェーハ ハイブリッドボンダー。誘電体を室温で直接フュージョン接合し、一括アニールで電気的接続を完成させる。

Datacon 8800 CHAMEO ultra plus ACとは

Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC は、Besi のダイ・トゥ・ウェーハ(D2W)ハイブリッドボンディング用のダイ搭載装置です。高密度インターコネクト、3D 集積、先端パッケージ、ハイエンドモジュールに使われます。

高解像度カメラを使う Van Gogh アライメント原理などの光学ソリューションで、最高の搭載精度を実現しています。アライメント精度は 100nm @3σ(最悪コーナー、GOG)です。ハイブリッドボンディングは歩留まりのために極めて高い清浄度を必要とするため、作業領域を ISO3 の雰囲気に保てます。

ほかの Besi プラットフォームで培った薄ダイのハンドリング技術を取り入れ、インラインの IR 検査で材料を降ろさずに搭載精度をすぐにフィードバックします。処理能力は最大 2,000 CPH(ドライサイクル)、基板は 12 インチウェーハ、ダイサイズは 0.5mm 角〜33×28mm、ダイ厚は 25〜800µm です。ホストからの自動品種切り替えに対応し、Applied Materials の装置とクラスター化もできます。

主な特長

  • •アライメント 100nm @3σ(最悪コーナー)
  • •ISO3 の清浄な作業雰囲気
  • •インライン IR 検査による精度フィードバック
  • •最大 2,000 CPH、ダイ 0.5mm〜33×28mm

主な仕様

接合方式D2W ハイブリッドボンディング
搭載精度アライメント 100 nm @3σ(最悪コーナー)
処理能力最大 2,000 ダイ/時
主要用途チップレット・3D 集積の高密度接続(ピッチ 1 µm まで)

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

ボンディング装置:2機種の比較

項目BesiDatacon 8800 CHAMEO ultra plus ACASMPTFIREBIRD TCB
接合方式D2W ハイブリッドボンディング熱圧着(TCB)
搭載精度アライメント 100 nm @3σ(最悪コーナー)±2.0 µm
処理能力最大 2,000 ダイ/時ハンドリングサイクル 2 秒未満
主要用途チップレット・3D 集積の高密度接続(ピッチ 1 µm まで)CPU・GPU・TSV 付きメモリの実装

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •D2W ハイブリッドボンディング(3D 集積・チップレット)
  • •高密度インターコネクトの先端パッケージ

掲載カテゴリ

Datacon 8800 CHAMEO ultra plus ACは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Besi

オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。

Besi の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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