最後更新:2026年10月8日檢測・量測檢測・量測中國大陸:光化检测

光化光罩檢測(Actinic Inspection)是什麼

Actinic Mask Inspection

光化光罩檢測是使用與實際曝光波長相同的EUV光(13.5nm),檢測EUV微影所用EUV光罩的技術。

定義與原理

光化光罩檢測(Actinic Mask Inspection)是使用與實際曝光波長相同的EUV(極紫外光)光(13.5nm),檢測EUV微影所用EUV光罩的技術。「光化(actinic)」是指曝光所使用波段的光。使用傳統深紫外光(DUV:193nm)的檢測,無法準確預測EUV光罩上的缺陷在EUV曝光時是否會轉印到晶圓上,因此需要以相同波長進行檢測。

EUV光罩採用反射式結構,在多層反射膜(Mo/Si交替堆疊膜)上形成吸收層圖形。這種多層膜內部的相位缺陷(Phase Defect)難以用DUV光檢出,但在EUV光下會產生相位差,有轉印的風險。光化檢測對於這類EUV特有缺陷(相位缺陷、振幅缺陷)的檢出精度大幅提升。

光化檢測設備的開發由艾司摩爾扮演核心角色,已將使用EUV光源的光罩檢測系統(AIMS EUV)導入量產線。此外,蔡司的EUV顯微鏡技術也有所應用。兼顧提升檢測產能(目前每1片需數小時~數十小時)與檢出靈敏度,是商用化的課題。

作為EUV光罩的缺陷管理流程,已建立一系列鏈條:製造後的空白光罩檢測(Mask Blank Inspection)、圖形形成後的檢測(Patterned Mask Inspection),以及曝光後的晶圓上缺陷評估(After Etch Inspection)。尤其空白光罩的相位缺陷多半無法修補,因此在空白光罩階段的高精度篩選直接關係到良率。

轉向High-NA EUV(NA=0.55)時,必須因應更小的光罩視野尺寸與新的變形(anamorphic)光學系統,光化檢測設備也需要更新為支援High-NA EUV的版本。JSR與東京應化(TOK)供應EUV光罩用材料(光罩保護膜、光阻),透過與光化檢測的配合,支撐光罩品質管理體制。

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