Olympia ALD 是應用材料用於絕緣膜的 ALD（原子層沉積）系統。在腔體內，晶圓一邊旋轉一邊通過依化學物種隔離的區域，依序接觸2種化學物種並在表面反應，每1個循環堆疊一層共形的單原子層。可視需要加入處理（treatment）步驟。
在 DRAM、3D NAND、邏輯 FinFET 的製造中，使用 ALD 的製程步驟日益增加。膜厚均勻性與覆蓋性是 CD 控制不可或缺的條件，同時也要求在有限的熱預算內取得高品質膜層。Olympia 以獨家的序列功能，實現平面與 3D 元件製造所需的低溫高品質 ALD 膜。
透過讓前驅物彼此完全分離的化學物種管理，將化學物種混合所產生的副產物與微粒降到最低，缺陷少，清潔週期也更長。此外，省去以往時間分離式 ALD 所需的抽氣／吹淨步驟，生產力提升 50% 以上。