最後更新:2026年10月23日晶圓級封裝

Endura Underbump Metallization PVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・晶圓級封裝

用於 UBM 與焊墊的後段製程 PVD。可沉積 NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al,厚度從未滿 1,000Å 到超過 1µm。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Endura Underbump Metallization PVD 是應用材料(Applied Materials)用於後段製程封裝的 PVD 設備。用於形成焊料凸塊的底層金屬(UBM)與焊墊(bond pad)。

可將 NiV、Cu、Ti、TiW、CuCr、TaN、Al 等,以從未滿 1,000Å 到超過 1µm 的廣泛厚度均勻沉積。活用了在先進導線領域累積的 PVD、靜電吸盤與預清洗技術。

透過晶圓溫度的主動控制與應力調整,使導線金屬與焊料凸塊良好連接,減少晶片損失。以 Preclean XT 即時(in-situ)去除有機物殘留與自然氧化層,獲得低接觸電阻與高附著性。

主要規格

方式PVD(後段製程封裝)
膜層種類NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al
膜厚範圍未滿 1,000Å~超過 1µm

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

支援多種 UBM 金屬
未滿 1,000Å~超過 1µm
Preclean XT
晶圓溫度・應力控制

主要用途

  • UBM 的形成
  • 焊墊

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

所屬設備分類

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Endura UBM PVD