EUV光罩保護膜（EUV Pellicle）是為了保護EUV（極紫外光）微影用光罩免受異物污染，而張設在距光罩表面數mm處的薄膜保護層（membrane）。它讓微粒附著在遠離光罩面的位置（保護膜面），使其相對於曝光時的焦平面（光罩圖形面）處於離焦狀態，藉此防止轉印到晶圓上。這在DUV微影中已是成熟技術，但要實現可用於EUV光的保護膜，一直是困難的技術課題。
EUV光罩保護膜最大的技術難題，在於兼顧對13.5nm EUV光的高穿透率，以及能耐受曝光機內真空、高能量環境的機械與熱強度。由於EUV光容易被物質強烈吸收，保護膜厚度受限於奈米等級（20～100nm）。另一方面，又必須確保在高壓掃描機環境下的機械強度，材料選擇極為困難。
EUV光罩保護膜材料的研究對象包括多晶矽（poly-Si）、氮化矽（SiN）、CNT（奈米碳管）等。艾司摩爾與PE Films（現已成為艾司摩爾子公司）共同開發CNT保護膜，並於2023年正式開始量產供貨。目前穿透率約在85～90%的水準，進一步提高穿透率（>90%）是開發目標。
在不使用保護膜的運作方式（Pellicle-Less）下，必須提高光罩檢測與清潔頻率，產能會因此下降。為提高EUV掃描機的稼動率，使用保護膜不可或缺，到了High-NA EUV世代更要求更高的穿透率與耐久性。JSR正投入EUV光罩保護膜材料（前驅物、成膜材料）的開發，Entegris也以高純度材料供應參與其中。
EUV光罩保護膜市場目前正快速成長，隨著2024～2025年以後EUV量產線擴大，需求持續增加。保護膜的損傷檢測與更換週期管理，也成為光罩廠營運的重要業務。在轉向High-NA EUV（NA=0.55）的同時，也同步開發因應更大光罩視野與新光學系統的次世代保護膜。