Centura Epi 200mm 是應用材料的單片・多腔體型矽磊晶成長設備。功率元件與 MEMS 需要最厚 150µm 的厚磊晶層，對片電阻、缺陷與膜厚均勻性的要求也愈來愈嚴格，因此正從批次式轉向單片式。
在以燈管加熱的各腔體中精確重現成膜條件，實現無滑移（slip）的膜、優異的膜厚與電阻率均勻性，以及低缺陷。溫度與壓力範圍廣，也可進行含鍺與矽鍺的低溫磊晶及多晶成膜。
最多可搭載 3 個製程腔體。也能組合以低溫去除原生氧化層的 Siconi 預清洗腔，支援 RF 與光子元件等成熟節點的低溫磊晶。