Centura Prime Epi 是應用材料支援 300mm 的單片式磊晶成長設備。承襲約20年來引領業界的 Centura RP Epi 核心技術，提升了架構彈性與製程能力。在邏輯上用於 finFET 與 GAA 的源極／汲極、通道與接觸窗，此外也用於記憶體、功率、類比、MEMS。
隨著針對 AI 的 HBM 等先進記憶體需求急增，DRAM 的周邊電晶體為了應變工程與臨界電壓控制，需要 SiGe・嵌入式 SiGe・嵌入式 SiP 等磊晶材料。
為此推出的 DRAM 用架構，在 7 面的主機架上組合磊晶 4 腔＋預清洗（Clarion）2 腔、單片晶圓的負載鎖定腔（load lock）與雙刀臂機械手臂，兼顧高生產力、小占地面積與低能源使用量。