Centura Xtera Epi 是應用材料的選擇性磊晶成長設備。針對邏輯的 GAA 電晶體與記憶體的立式 FinFET 等,因轉向 3D 結構而需要在高深寬比結構中進行精密磊晶成長的需求而開發。
縮小成膜部的截面以提高原料補給,實現均勻且高品質的磊晶。最佳化用於成長複雜材料的化學物質供應,並即時監控・控制晶圓溫度以穩定製程。
以磊晶設備而言具有最小的製程容積,也能減少能源與材料的使用量。已被先進的晶圓代工邏輯客戶採用。
針對 GAA 與立式 FinFET 等 3D 結構的選擇性磊晶成長設備。具備磊晶設備中最小的製程容積。
Centura Xtera Epi 是應用材料的選擇性磊晶成長設備。針對邏輯的 GAA 電晶體與記憶體的立式 FinFET 等,因轉向 3D 結構而需要在高深寬比結構中進行精密磊晶成長的需求而開發。
縮小成膜部的截面以提高原料補給,實現均勻且高品質的磊晶。最佳化用於成長複雜材料的化學物質供應,並即時監控・控制晶圓溫度以穩定製程。
以磊晶設備而言具有最小的製程容積,也能減少能源與材料的使用量。已被先進的晶圓代工邏輯客戶採用。
| 方式 | 選擇性磊晶成長 |
|---|---|
| 特點 | 最小的製程容積・即時晶圓溫度控制 |
| 主要用途 | GAA 邏輯・立式 FinFET 記憶體 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。