最後更新:2026年10月23日磊晶成長設備

Centura Xtera Epi的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・磊晶成長設備

針對 GAA 與立式 FinFET 等 3D 結構的選擇性磊晶成長設備。具備磊晶設備中最小的製程容積。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Centura Xtera Epi 是應用材料的選擇性磊晶成長設備。針對邏輯的 GAA 電晶體與記憶體的立式 FinFET 等,因轉向 3D 結構而需要在高深寬比結構中進行精密磊晶成長的需求而開發。

縮小成膜部的截面以提高原料補給,實現均勻且高品質的磊晶。最佳化用於成長複雜材料的化學物質供應,並即時監控・控制晶圓溫度以穩定製程。

以磊晶設備而言具有最小的製程容積,也能減少能源與材料的使用量。已被先進的晶圓代工邏輯客戶採用。

主要規格

方式選擇性磊晶成長
特點最小的製程容積・即時晶圓溫度控制
主要用途GAA 邏輯・立式 FinFET 記憶體

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

磊晶用最小的製程容積
提高原料補給的窄成膜截面
即時晶圓溫度控制

主要用途

  • GAA 電晶體的磊晶
  • 立式 FinFET 記憶體的磊晶

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Centura Xtera Epi