Applied Materials/エピタキシャル成長装置

Centura® Epi 200mm

200mm の枚葉・マルチチャンバーのエピタキシャル成長装置。パワー・MEMS 向けに最大 150µm の厚いエピ層を成長させる。

Centura Epi 200mmとは

Centura Epi 200mm は、Applied Materials の枚葉・マルチチャンバー型のシリコンエピタキシャル成長装置です。パワーデバイスや MEMS では最大 150µm の厚いエピ層が求められ、シート抵抗や欠陥、膜厚の均一性の要求も厳しくなったため、バッチ式から枚葉式への移行が進んでいます。

ランプで加熱する各チャンバーで成膜条件を正確に再現し、スリップのない膜、優れた膜厚と抵抗率の均一性、少ない欠陥を実現します。温度と圧力の範囲が広く、ゲルマニウムやシリコンゲルマニウムを含む低温のエピや多結晶の成膜もできます。

最大 3 つのプロセスチャンバーを搭載できます。低温で自然酸化膜を取り除く Siconi プリクリーン室も組み合わせられ、RF やフォトニクスなどのレガシーノードでの低温エピに対応します。

主な特長

  • •枚葉・マルチチャンバー
  • •最大 150µm の厚膜エピ
  • •SiGe・Ge の低温エピ
  • •Siconi プリクリーン対応

主な仕様

対応ウェハ径200 mm
膜厚最大 150µm
構成最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsCentura™ Prime™ EpiApplied MaterialsCentura® Epi 200mmApplied MaterialsCentura™ Xtera™ EpiVeeco InstrumentsPropel® GaN MOCVDKokusai Electric(国際電気)QUIXACE®-LV(ラージバッチEPI成膜装置)ASMインターナショナルEpsilon® 2000ASMインターナショナルIntrepid® ES
方式枚葉エピタキシー—選択エピタキシャル成長枚葉式 MOCVDラージバッチ縦型(真空ロードロック)ランプ加熱のエピタキシャル CVDエピタキシャル成長(等温反応炉・閉ループ制御)
主要用途ロジックの S/D・チャネル、DRAM(HBM)周辺トランジスタ—GAA ロジック・縦型 FinFET メモリGaN パワー・5G RF・フォトニクス—トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS—
対応ウェハ径300 mm200 mm——300 mm——
特徴——最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御—最大 1.25 倍のロット処理(同社比)ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill—
対象膜Si・SiGe・埋め込み SiGe/SiP——GaN 系———
構成—最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可————XP クラスターに最大 4 モジュール
1機種だけが掲載している項目(2件)
膜厚—最大 150µm—————
前処理——————Previum プリクリーンを統合可能

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •パワーデバイス・MEMS のエピ
  • •RF・フォトニクス向けの低温エピ

掲載カテゴリ

Centura Epi 200mmは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Applied Materials

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

Applied Materials の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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