Centura® Epi 200mm
200mm の枚葉・マルチチャンバーのエピタキシャル成長装置。パワー・MEMS 向けに最大 150µm の厚いエピ層を成長させる。
Centura Epi 200mmとは
Centura Epi 200mm は、Applied Materials の枚葉・マルチチャンバー型のシリコンエピタキシャル成長装置です。パワーデバイスや MEMS では最大 150µm の厚いエピ層が求められ、シート抵抗や欠陥、膜厚の均一性の要求も厳しくなったため、バッチ式から枚葉式への移行が進んでいます。
ランプで加熱する各チャンバーで成膜条件を正確に再現し、スリップのない膜、優れた膜厚と抵抗率の均一性、少ない欠陥を実現します。温度と圧力の範囲が広く、ゲルマニウムやシリコンゲルマニウムを含む低温のエピや多結晶の成膜もできます。
最大 3 つのプロセスチャンバーを搭載できます。低温で自然酸化膜を取り除く Siconi プリクリーン室も組み合わせられ、RF やフォトニクスなどのレガシーノードでの低温エピに対応します。
主な特長
- •枚葉・マルチチャンバー
- •最大 150µm の厚膜エピ
- •SiGe・Ge の低温エピ
- •Siconi プリクリーン対応
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 200 mm |
|---|---|
| 膜厚 | 最大 150µm |
| 構成 | 最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi | Applied MaterialsCentura® Epi 200mm | Applied MaterialsCentura™ Xtera™ Epi | Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD | Kokusai Electric(国際電気)QUIXACE®-LV(ラージバッチEPI成膜装置) | ASMインターナショナルEpsilon® 2000 | ASMインターナショナルIntrepid® ES |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 枚葉エピタキシー | — | 選択エピタキシャル成長 | 枚葉式 MOCVD | ラージバッチ縦型(真空ロードロック) | ランプ加熱のエピタキシャル CVD | エピタキシャル成長(等温反応炉・閉ループ制御) |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM(HBM)周辺トランジスタ | — | GAA ロジック・縦型 FinFET メモリ | GaN パワー・5G RF・フォトニクス | — | トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 200 mm | — | — | 300 mm | — | — |
| 特徴 | — | — | 最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御 | — | 最大 1.25 倍のロット処理(同社比) | ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill | — |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe/SiP | — | — | GaN 系 | — | — | — |
| 構成 | — | 最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可 | — | — | — | — | XP クラスターに最大 4 モジュール |
1機種だけが掲載している項目(2件)
| 膜厚 | — | 最大 150µm | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 前処理 | — | — | — | — | — | — | Previum プリクリーンを統合可能 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •パワーデバイス・MEMS のエピ
- •RF・フォトニクス向けの低温エピ
掲載カテゴリ
Centura Epi 200mmは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
エピタキシャル成長装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK Prime CMP(酸化膜CMP装置)Reflexion LK CMP(金属CMP装置)Vantage Vulcan RTP(RTP(急速熱処理)装置)VIISta Trident(高電流イオン注入装置)VIISta 900XP(中電流イオン注入装置)Producer Celera PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer Precision APF PECVD(PECVD(プラズマCVD))Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System(ハイブリッドボンディング装置)Centris® Sym3® Y Etch(ドライエッチング装置)Sym3™ Z Magnum™ Etch(シリコンエッチャー)Centura® Etch(ポリシリコンエッチャー)Producer® Selectra® Etch(酸化膜エッチャー)Producer® Selectra® Mo Etch(金属エッチャー)Olympia® ALD(ALD装置)Producer® XP Precision® CVD(CVD装置)Endura® PVD(PVD装置)Centura™ Prime™ Epi(エピタキシャル成長装置)Raider® ECD(めっき装置(電解銅めっき))Centura® Tetra™ Z Photomask Etch(マスクエッチング装置)Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch(マスクエッチング装置)Vantage® Astra™ DSA(レーザーアニール装置)VIISta® PLAD(プラズマドーピング装置)SEMVision™ H20(レビューSEM)VeritySEM® 20 CD Metrology(CD-SEM)Centura® Silvia™ Etch(TSV形成装置)VIISta® 3000XP(高エネルギーイオン注入)(CMOSイメージセンサー製造装置)VIISta® 900 3D(ホットイオン注入)(SiCパワー半導体製造装置)Mirra® Durum™ CMP(SiCパワー半導体製造装置)SmartFactory MES(生産管理システム(MES))Aera™ 6 Mask Inspection(マスク検査装置)Aeris®-G Plasma Abatement System(排ガス処理装置(アバトメント))Aeris®-S(排ガス処理装置(アバトメント))Aeris®-Si(排ガス処理装置(アバトメント))Alta® 4700DP Mask Writer(マスク描画装置(EB描画))Producer™ Avila™ 2 PECVD(TSV形成装置)Producer Precision™ Selective Nitride PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer® XP Precision® Pioneer® CVD(CVD装置)Sigmameltec CTS Mask Coat Series(マスクコータ/デベロッパ)Sigmameltec MRC Mask Clean Series(マスク洗浄・乾燥装置)Sigmameltec SFB Mask Bake Series(マスクコータ/デベロッパ)Sigmameltec SFD Mask Develop Series(マスクコータ/デベロッパ)iSystem® Controller(装置管理システム(EES))Axcela™ PVD(PVD装置)Centris™ Spectral™ Mo ALD(ALD装置)Centris™ Spectral™ SiN ALD(ALD装置)Centura® DPN HD(RTP(急速熱処理)装置)Centura® DXZ CVD(CVD装置)Centura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System(ドライエッチング装置)Centura® Ultima HDP CVD®(CVD装置)Centura™ Xtera™ Epi(エピタキシャル成長装置)Centura™ iSprint™ SSW ALD/CVD(CVD装置)Charger® UBM PVD(ウェハレベルパッケージング)ComPLUS™ 5P Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)Endura® ALPS® PVD(PVD装置)Endura® Amber™ PVD(PVD装置)Endura® Avenir® RF PVD(PVD装置)Endura® Cirrus™ HT Co PVD(PVD装置)Endura® Cirrus™ HTX PVD(PVD装置)Endura® Clover® MRAM PVD(PVD装置)Endura® CuBS RF XT PVD(PVD装置)Endura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD(CVD装置)Endura® iLB™ PVD/ALD(PVD装置)Endura® Impulse™ PCRAM PVD(PVD装置)Endura® Ioniq™ W PVD(PVD装置)Endura™ Trillium™ ALD(ALD装置)Endura® Underbump Metallization PVD(ウェハレベルパッケージング)Endura® Ventura® PVD(TSV形成装置)Endura® Versa™ XLR2 W PVD(PVD装置)Endura® Volta® Cobalt CVD(CVD装置)Endura® Volta® Selective W CVD(CVD装置)Endura® Volta® W CVD(CVD装置)Enlight™ 3 Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)HawkEye™ Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)Mirra® CMP 200mm(酸化膜CMP装置)Nokota VMax™ 2 ECD(めっき装置(電解銅めっき))Opta™ CMP(金属CMP装置)PROVision™ 10 eBeam Metrology(CD-SEM)PROVision™ 4E eBeam Metrology(CD-SEM)Pika™ PVD(PVD装置)PrimeVision® 10 eBeam Inspection(電子線(EB)検査装置)Producer® Pyra® Anneal(アニール炉)Producer® Avila™ PECVD(TSV形成装置)Producer® BLOk™ PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer™ Black Diamond™ PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer® CVD(CVD装置)Producer® DARC® PECVD(PECVD(プラズマCVD))Producer® Etch(ドライエッチング装置)Producer® Eterna® FCVD™(CVD装置)Producer® HARP®(CVD装置)Producer® InVia® CVD(TSV形成装置)Producer® Onyx®(PECVD(プラズマCVD))Producer™ Viva™ Radical Treatment(ドライ洗浄装置)Producer® XP Precision® Draco™ CVD(CVD装置)Reveal™ Defect Analysis(故障解析装置)SEMVision™ G10 Defect Analysis(レビューSEM)SEMVision™ G7 Defect Analysis(レビューSEM)SEMVision™ G7AP Defect Analysis(レビューSEM)SEMVision® G9 Defect Analysis(レビューSEM)Topaz™ PVD(ウェハレベルパッケージング)VIISta® HCP(高電流イオン注入装置)Vantage® RadOx™ RTP(RTP(急速熱処理)装置)Vantage® Radiance® Plus RTP(RTP(急速熱処理)装置)Vera® Optical Inspection(光学式ウェーハ検査装置)VeritySEM® 6C CD Metrology(CD-SEM)VeritySEM® 6D CD Metrology(CD-SEM)VeritySEM™ AP CD Metrology(CD-SEM)
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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07