Epsilon 2000的特點與規格

Epsilon 是 ASM 的矽磊晶成長設備。以內建燈管將晶圓加熱至設定溫度，以 CVD 成長矽系磊晶膜。

特點是以專利伯努利棒進行非接觸晶圓傳送，可在高溫狀態下傳送而不損傷晶圓表面，因此產能高於等待冷卻的方式。搭配 ASM 的 Silcore 前驅物，在低溫下也具有業界最高的沉積速率。

以 PowerFill 溝槽填充，可在深溝槽中依序沉積磊晶層，降低以往多道步驟的成本。用於電晶體形成用的選擇性・非選擇性摻雜矽層、晶圓製造的全面磊晶（blanket epi），以及類比・雙極・BiCMOS 用磊晶。