Applied Materials/エピタキシャル成長装置

Centura™ Xtera™ Epi

GAA や縦型 FinFET などの 3D 構造向けの選択エピタキシャル成長装置。エピとしては最小のプロセス容積を持つ。

Centura Xtera Epiとは

Centura Xtera Epi は、Applied Materials の選択エピタキシャル成長装置です。ロジックの GAA トランジスタやメモリの縦型 FinFET など、3D 構造への移行で必要になった、高アスペクト比の中での精密なエピ成長に向けて開発されました。

成膜部の断面を小さくして原料の補給を高め、均一で高品質なエピを実現します。複雑な材料を成長させるための化学の供給を最適化し、ウェーハ温度をリアルタイムで監視・制御して工程を安定させます。

エピ装置としては最小のプロセス容積で、エネルギーと材料の使用量も減らせます。先端のファウンドリロジック顧客に採用されています。

主な特長

  • •エピ用で最小のプロセス容積
  • •原料補給を高める狭い成膜断面
  • •リアルタイムのウェーハ温度制御

主な仕様

方式選択エピタキシャル成長
特徴最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御
主要用途GAA ロジック・縦型 FinFET メモリ

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Applied MaterialsCentura™ Prime™ EpiApplied MaterialsCentura® Epi 200mmApplied MaterialsCentura™ Xtera™ EpiVeeco InstrumentsPropel® GaN MOCVDKokusai Electric(国際電気)QUIXACE®-LV(ラージバッチEPI成膜装置)ASMインターナショナルEpsilon® 2000ASMインターナショナルIntrepid® ES
方式枚葉エピタキシー—選択エピタキシャル成長枚葉式 MOCVDラージバッチ縦型(真空ロードロック)ランプ加熱のエピタキシャル CVDエピタキシャル成長(等温反応炉・閉ループ制御)
主要用途ロジックの S/D・チャネル、DRAM(HBM)周辺トランジスタ—GAA ロジック・縦型 FinFET メモリGaN パワー・5G RF・フォトニクス—トランジスタ用ドープ Si・ウェーハ製造のブランケットエピ・BiCMOS—
対応ウェハ径300 mm200 mm——300 mm——
特徴——最小のプロセス容積・リアルタイムのウェーハ温度制御—最大 1.25 倍のロット処理(同社比)ベルヌーイワンドの非接触搬送・Silcore 原料・PowerFill—
対象膜Si・SiGe・埋め込み SiGe/SiP——GaN 系———
構成—最大 3 プロセスチャンバー・Siconi プリクリーン搭載可————XP クラスターに最大 4 モジュール
1機種だけが掲載している項目(2件)
膜厚—最大 150µm—————
前処理——————Previum プリクリーンを統合可能

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •GAA トランジスタのエピ
  • •縦型 FinFET メモリのエピ

掲載カテゴリ

Centura Xtera Epiは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Applied Materials

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

Applied Materials の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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