Endura Trillium ALD的特點與規格

Endura Trillium ALD 是應用材料的 ALD 設備。在 FinFET 與 GAA 等 3D 電晶體中，即使只差原子 1 層也會改變性能，因此必須以原子級控制製作極薄且均勻的膜層。

在 Endura 平台上，沿著高深寬比結構沉積厚度與組成均勻的原子級薄膜。可在同一平台上與清洗及處理技術結合，進一步提升性能與良率。

從 High-k／金屬閘極的功函數金屬與偶極層，到襯層與覆蓋膜，支援廣泛的材料，是 FinFET・GAA 的核心成膜技術。也能對應未來的 CFET。