XP8 JQCM 是 ASM 的高性能 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備。最多可搭載 4 個獨立的四腔製程模組,每個模組有 4 個反應腔。
以先進的反應器設計將前驅物效率提升到最大、ALD 循環時間縮到最短,在低溫下沉積高品質的氮化矽(SiN)膜。精密控制薄膜應力與階梯覆蓋率,製作出能因應次世代邏輯嚴格要求的均勻薄膜。
用於 SiN 的襯墊層、間隔層、蝕刻停止層、以間隔層進行的多重圖案化,以及可調整應力、無孔洞的高深寬比間隙填充。
針對先進邏輯,以低溫沉積高品質 SiN 膜的 ASM PEALD 設備,最多 4 個模組×4 個反應腔。
XP8 JQCM 是 ASM 的高性能 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備。最多可搭載 4 個獨立的四腔製程模組,每個模組有 4 個反應腔。
以先進的反應器設計將前驅物效率提升到最大、ALD 循環時間縮到最短,在低溫下沉積高品質的氮化矽(SiN)膜。精密控制薄膜應力與階梯覆蓋率,製作出能因應次世代邏輯嚴格要求的均勻薄膜。
用於 SiN 的襯墊層、間隔層、蝕刻停止層、以間隔層進行的多重圖案化,以及可調整應力、無孔洞的高深寬比間隙填充。
| 方式 | 電漿 ALD(PEALD) |
|---|---|
| 構成 | 最多 4 個製程模組(各 4 個反應腔) |
| 主要用途 | SiN 襯墊層・間隔層・蝕刻停止層・間隙填充 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
ASM International(總部:荷蘭)