最後更新:2026年10月23日ALD 設備

XP8 JQCM PEALD的特點與規格

ASM International・ALD 設備

針對先進邏輯,以低溫沉積高品質 SiN 膜的 ASM PEALD 設備,最多 4 個模組×4 個反應腔。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

XP8 JQCM 是 ASM 的高性能 300mm 電漿 ALD(PEALD)設備。最多可搭載 4 個獨立的四腔製程模組,每個模組有 4 個反應腔。

以先進的反應器設計將前驅物效率提升到最大、ALD 循環時間縮到最短,在低溫下沉積高品質的氮化矽(SiN)膜。精密控制薄膜應力與階梯覆蓋率,製作出能因應次世代邏輯嚴格要求的均勻薄膜。

用於 SiN 的襯墊層、間隔層、蝕刻停止層、以間隔層進行的多重圖案化,以及可調整應力、無孔洞的高深寬比間隙填充。

主要規格

方式電漿 ALD(PEALD)
構成最多 4 個製程模組(各 4 個反應腔)
主要用途SiN 襯墊層・間隔層・蝕刻停止層・間隙填充

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

低溫下的高品質 SiN
應力・階梯覆蓋率的精密控制
最多 4 個模組×4 個反應腔

主要用途

  • 先進邏輯的 SiN 間隔層
  • 高深寬比的間隙填充

製造商

ASM International(總部:荷蘭)

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資料來源

  1. ASM International 官方產品頁面:ASM XP8 JQCM PEALD