Reflexion LK CMP
銅配線とlow-k絶縁膜の組み合わせを対象としたCMPプラットフォーム。脆いlow-k膜へのダメージを抑えつつ銅ダマシン配線を平坦化する。
Reflexion LK CMPとは
Reflexion LK CMP は、Applied Materials の 300mm CMP プラットフォームです。3枚のプラテンで順に研磨する逐次研磨方式で、3ステップの CMP に最適化されています。研磨・洗浄・乾燥の技術を刷新した現行モデルとして展開されています。
研磨後の洗浄には一体化された Desica 洗浄機を使います。ウェーハを全浸漬したままマランゴニ蒸気乾燥を行う方式で、ウォーターマーク欠陥をほぼなくし、パーティクル汚染も大きく減らします。
終点検出とプロファイル制御には FullVision XE と RTPC XE を備え、広帯域分光またはホール効果渦電流センサーで、絶縁膜・金属膜の各 CMP の停止を制御します。パッドに窓を設けた特許技術により、スループットを落とさずに全ウェーハをリアルタイムで制御できます。
主な特長
- •3プラテンの逐次研磨（3ステップ CMP に最適化）
- •全浸漬マランゴニ乾燥の Desica 洗浄機を一体化
- •FullVision XE／RTPC XE によるその場終点検出・プロファイル制御
- •パッド内の窓（window-in-pad）による全ウェーハのリアルタイム制御
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 研磨・洗浄モジュール数 | 7（上位機 Reflexion LK Prime は 14） |
| 対象膜 | 銅配線・low-k絶縁膜 |
| 関連機種 | Reflexion LK Prime CMP（上位機種） |
| 主要用途 | Cuダマシン配線のCMP |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsReflexion LK CMP | 荏原製作所F-REX300X | 東京精密（Accretech）ChaMP211 |
|---|---|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | 100／150／200 mm（研磨ヘッドは2〜8インチ） |
| 主要用途 | Cuダマシン配線のCMP | Cu・W・バリアメタルの研磨 | SiC・MEMS・マイクロLED・SAWフィルターの研磨 |
1機種だけが掲載している項目（10件）
| 研磨・洗浄モジュール数 | 7（上位機 Reflexion LK Prime は 14） | — | — |
|---|---|---|---|
| 対象膜 | 銅配線・low-k絶縁膜 | — | — |
| 関連機種 | Reflexion LK Prime CMP（上位機種） | — | — |
| トップリング数 | — | 4 | — |
| ターンテーブル数 | — | 4 | — |
| 洗浄ユニット数 | — | 6 | — |
| 位置づけ | — | — | 小型CMP装置 |
| 研磨ヘッド | — | — | エアフロートヘッド「Sylphide」（ゾーン制御はオプション） |
| 対応範囲 | — | — | 研究開発・試作から量産まで（仕様変更に対応） |
| シリーズ構成 | — | — | ChaMP211／ChaMP232（200 mm）／ChaMP332（300 mm） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •Cu ダマシン配線などメタル CMP
- •絶縁膜 CMP（stop-in／stop-on の各工程）
掲載カテゴリ
Reflexion LK CMPは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
なぜ CMP 後の乾燥方式が重要なのですか？
研磨後のウェーハを乾かす際に水滴の跡（ウォーターマーク）が残ると欠陥になります。Reflexion LK CMP はウェーハを浸漬したままマランゴニ蒸気で乾燥させ、この欠陥を抑えています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
金属CMP装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK Prime CMP（酸化膜CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta Trident（高電流イオン注入装置）VIISta 900XP（中電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）Centura® Silvia™ Etch（TSV形成装置）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-05