Previum®（エピ前プリクリーン）

エピ成長の前に自然酸化膜や炭素汚染を取り除く ASM のプリクリーンモジュール。V3・NEXT・VP の 3 種類がある。

Previumとは

Previum は、ASM のエピタキシャル成長前のプリクリーンモジュールです。欠陥のないエピ膜を成長させるには、シリコン表面に自然酸化膜や炭素の汚れがあってはいけません。これらは格子の並びを乱し、エピ層に結晶欠陥を生みます。

Previum はこれらの不純物を取り除いてから、ウェーハを Intrepid に移してエピを成長させます。主力の Previum V3 は量産で実績があり、自然酸化膜を 99.9% 除去し、面内均一性にも優れます。Previum NEXT は自然酸化膜と炭素不純物を同時に除去し、シリコンのエッチングもできます。

もっとも先進的な Previum VP は、気相の非プラズマ方式で、高アスペクト比の構造の自然酸化膜を、もろい絶縁膜を傷めずに選択的に取り除きます。酸化膜除去に通常使われる温室効果ガスを使わないため、環境負荷ももっとも小さい方式です。

主な特長

•自然酸化膜を 99.9% 除去（V3）
•酸化膜と炭素を同時除去（NEXT）
•気相・非プラズマ（VP）

主な仕様

方式	エピ前のプリクリーン（Intrepid と統合）
ラインアップ	Previum V3・NEXT・VP（気相・非プラズマ）
性能	自然酸化膜を 99.9% 除去（V3）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	東京エレクトロン（TEL）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）	東京エレクトロン（TEL）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）	Lam ResearchSelective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®）	Applied MaterialsProducer™ Viva™ Radical Treatment	ASMインターナショナルPrevium®（エピ前プリクリーン）	ULVAC（アルバック）RISE-300（自然酸化膜除去装置）
方式	ガスケミカル（ドライ）エッチング、プラズマレス	枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ）	等方性の選択エッチング・表面処理	イオンフリーのラジカル処理（特許）	エピ前のプリクリーン（Intrepid と統合）	リモートプラズマ（マイクロ波）・低温のバッチ式ドライエッチング
主要用途	シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング	微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL）	S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス	—	—	—
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（8件）

チャンバー構成	最大 6 チャンバー（2枚同時処理）	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	—	Argos／Prevos／Selis	—	—	—
対象	—	—	—	GAA ナノシートのシリコン表面	—	—
効果	—	—	—	表面粗さ・不純物の低減でキャリア移動度を改善	—	—
ラインアップ	—	—	—	—	Previum V3・NEXT・VP（気相・非プラズマ）	—
性能	—	—	—	—	自然酸化膜を 99.9% 除去（V3）	—
均一性	—	—	—	—	—	±5% 未満（バッチ）
処理	—	—	—	—	—	300mm を 50 枚一括